К вопросу об омичности контактов Шоттки

Проанализированы условия реализации омических контактов в cлучае контактов Шоттки. На основе классических представлений о механизмах токопрохождения рассмотрена обобщенная модель контакта Шоттки, учитывающая термоэлектронный ток основных носителей заряда и рекомбинационный ток неосновных носителей заряда в контактах Шоттки с диэлектрическим зазором. Анализ результатов использованной модели позволил получить критерии омичности контактов Шоттки и сопоставить между собой условия малого уровня инъекции и омичности контактов Шоттки для контактов на основе кремния. Показано, что условия омичности контакта Шоттки не совпадают с таковыми для случая $p$–$n$-переходов.