|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Т. П. Естюнина, А. В. Тарасов, А. В. Ерыженков, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Модификация топологических поверхностных состояний в новых синтетических топологических системах
Mn$_{1-x}$A$_{x}$Bi$_2$Te$_4$/MnBi$_2$Te$_4$ (A = Si, Ge, Sn, Pb)”, Письма в ЖЭТФ, 119:6 (2024), 439–445  |
|
2023 |
| 2. |
С. О. Фильнов, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, Т. П. Макарова, А. В. Королева, А. А. Рыбкина, Р. Г. Чумаков, А. М. Лебедев, О. Ю. Вилков, А. М. Шикин, А. Г. Рыбкин, “Cовместная интеркаляция ультратонких пленок Fe и Co под буферный слой графена на монокристалле SiC(0001)”, Письма в ЖЭТФ, 117:5 (2023), 369–376 ; S. O. Fulnov, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, T. P. Makarova, A. V. Koroleva, A. A. Rybkina, R. G. Chumakov, A. M. Lebedev, O. Yu. Vilkov, A. M. Shikin, A. G. Rybkin, “Joint intercalation of ultrathin Fe and Co films under a graphene buffer layer on a SiC(0001) single crystal”, JETP Letters, 117:5 (2023), 363–369 |
| 3. |
A. A. Gogina, A. V. Tarasov, A. V. Eryzhenkov, A. G. Rybkin, A. M. Shikin, M. Filianina, I. I. Klimovskikh, “Adsorption of Na monolayer on graphene covered Pt(111) substrate”, Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023), 145–146 ; JETP Letters, 117:2 (2023), 138–146 |
2
|
|
2022 |
| 4. |
Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, А. А. Рыбкина, И. А. Головчанский, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, И. В. Щетинин, В. А. Голяшов, А. М. Шикин, “Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 793–800 ; D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, A. A. Rybkina, I. A. Golovchanskiy, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, I. V. Shchetinin, V. A. Golyashov, A. M. Shikin, “Mixed type of the magnetic order in intrinsic magnetic topological insulators Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$”, JETP Letters, 116:11 (2022), 817–824 |
3
|
| 5. |
А. М. Шикин, Н. Л. Зайцев, А. В. Тарасов, Т. П. Макарова, Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, “Электронная и спиновая структура топологических поверхностных состояний MnBi$_4$Te$_7$ и MnBi$_6$Te$_{10}$ и их модификация приложенным электрическим полем”, Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022), 544–555 ; A. M. Shikin, N. L. Zaitsev, A. V. Tarasov, T. P. Makarova, D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, “Electronic and spin structure of topological surface states in MnBi$_4$Te$_7$ and MnBi$_6$Te$_{10}$ and their modification by an applied electric field”, JETP Letters, 116:8 (2022), 556–566 |
11
|
| 6. |
Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, Т. П. Макарова, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. А. Голяшов, А. В. Королева, А. М. Шикин, “Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb”, Письма в ЖЭТФ, 115:5 (2022), 315–321 ; D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, T. P. Makarova, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. A. Golyashov, A. V. Koroleva, A. M. Shikin, “Electronic structure of magnetic topological insulators Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ with various concentration of sb atoms”, JETP Letters, 115:5 (2022), 286–291 |
5
|
| 7. |
А. М. Шикин, Д. А. Естюнин, Д. А. Глазкова, С. О. Фильнов, И. И. Климовских, “Электронная, спиновая структура и магнитные свойства собственных антиферромагнитных топологических изоляторов семейства MnBi$_2$Te$_4$(Bi$_2$Te$_3$)$_{m}$ (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022), 241–255 ; A. M. Shikin, D. A. Estyunin, D. A. Glazkova, S. O. Ful'nov, I. I. Klimovskikh, “Electronic and spin structures of intrinsic antiferromagnetic topological insulators of the MnBi$_2$Te$_4$(Bi$_2$Te$_3$)$_{m}$ family and their magnetic properties (brief review)”, JETP Letters, 115:4 (2022), 213–225 |
12
|
|
2021 |
| 8. |
Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, М. Б. Бабанлы, З. А. Джахангирли, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Т. Г. Мамедов, М. М. Отроков, А. М. Шикин, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1062–1067  ; N. A. Abdullaev, Kh. V. Aliguliyeva, V. N. Zverev, Z. S. Aliyev, I. R. Amireslanov, M. B. Babanly, Z. A. Jahangirli, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, T. G. Mamedov, M. M. Otrokov, A. M. Shikin, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “The charge transport mechanism in a new magnetic topological insulator MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1120–1125 |
2
|
|
2020 |
| 9. |
А. М. Шикин, “Природа открытия и модификации дираковской щели в аксионном антиферромагнитном топологическом изоляторе MnBi$_{2}$Te$_{4}$”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1293–1301 ; A. M. Shikin, “Dirac gap opening and modifying mechanism in an axion antiferromagnetic topological insulator MnBi$_{2}$Te$_{4}$”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1460–1468 |
5
|
| 10. |
А. М. Шикин, Д. А. Естюнин, А. В. Королева, Д. А. Глазкова, Т. П. Макарова, С. О. Фильнов, “Механизм открытия щели в точке Дирака в электронном спектре Gd-допированного топологического изолятора”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 286–297 ; A. M. Shikin, D. A. Estyunin, A. V. Koroleva, D. A. Glazkova, T. P. Makarova, S. O. Ful'nov, “Gap opening mechanism at the Dirac point in the electronic spectrum of GD-doped topological insulator”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 338–349 |
6
|
| 11. |
А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 859–864 ; A. K. Kaveev, A. G. Banshchikov, A. N. Terpitsky, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe$_{2}$”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055 |
3
|
|
2016 |
| 12. |
Д. А. Пудиков, Е. В. Жижин, А. Г. Рыбкин, А. А. Рыбкина, Ю. М. Жуков, О. Ю. Вилков, А. М. Шикин, “Электронная структура графена на поверхностях Ni(111) и Ni(100)”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2459–2463 ; D. A. Pudikov, E. V. Zhizhin, A. G. Rybkin, A. A. Rybkina, Yu. M. Zhukov, O. Yu. Vilkov, A. M. Shikin, “Electronic structure of graphene on Ni(111) and Ni(100) surfaces”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2550–2554 |
1
|
| 13. |
А. М. Шикин, И. И. Климовских, М. В. Филянина, А. А. Рыбкина, Д. А. Пудиков, К. А. Кох, О. Е. Терещенко, “Поверхностные спин-поляризованные токи, генерируемые в топологических изоляторах циркулярно-поляризованным синхротронным излучением, и их индикация методом фотоэлектронной спектроскопии”, Физика твердого тела, 58:8 (2016), 1617–1628 ; A. M. Shikin, I. I. Klimovskikh, M. V. Filianina, A. A. Rybkina, D. A. Pudikov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, “Surface spin-polarized currents generated in topological insulators by circularly polarized synchrotron radiation and their photoelectron spectroscopy indication”, Phys. Solid State, 58:8 (2016), 1675–1686 |
15
|
| 14. |
И. И. Климовских, М. В. Филянина, С. В. Еремеев, А. А. Рыбкина, А. Г. Рыбкин, Е. В. Жижин, А. Е. Петухов, И. П. Русинов, К. А. Кох, Е. В. Чулков, О. Е. Терещенко, А. М. Шикин, “Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 754–762 ; I. I. Klimovskikh, M. V. Filianina, S. V. Eremeev, A. A. Rybkina, A. G. Rybkin, E. V. Zhizhin, A. E. Petukhov, I. P. Rusinov, K. A. Kokh, E. V. Chulkov, O. E. Tereshchenko, A. M. Shikin, “Specific features of the electronic, spin, and atomic structures of a topological insulator Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 779–787 |
5
|
|
1986 |
| 15. |
В. К. Адамчук, И. В. Любинецкий, А. М. Шикин, “Особенности взаимодействия кремния с благородными металлами”, Письма в ЖТФ, 12:17 (1986), 1056–1060  |
|
Обратная связь: