Аннотация:
Исследованы особенности электронной и спиновой структуры тройного топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$, характеризующегося высокоэффективными термоэлектрическими свойствами, с использованием фотоэлектронной спектроскопии с угловым и спиновым разрешением, в сравнении с теоретическими расчетами, проведенными в рамках теории функционала плотности. Показано, что уровень Ферми для Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$ располагается в энергетической запрещенной зоне и пересекает топологическое поверхностное состояние (конус Дирака). Теоретические расчеты электронной структуры поверхности демонстрируют, что характер распределения атомов Se на подрешетке Te–Se фактически не влияет на вид дисперсии поверхностного топологического электронного состояния. Спиновая структура этого состояния характеризуется геликоидальной спиновой поляризацией. Исследования поверхности Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$ методом сканирующей туннельной микроскопии выявили атомарную гладкость поверхности образца, сколотого в условиях сверхвысокого вакуума, с величиной постоянной решетки $\sim$4.23 $\mathring{\mathrm{A}}$. Показана стабильность дираковского конуса соединения Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$ к напылению монослоя Pt на поверхность.
Поступила в редакцию: 02.07.2015 Исправленный вариант: 09.09.2015
Образец цитирования:
И. И. Климовских, М. В. Филянина, С. В. Еремеев, А. А. Рыбкина, А. Г. Рыбкин, Е. В. Жижин, А. Е. Петухов, И. П. Русинов, К. А. Кох, Е. В. Чулков, О. Е. Терещенко, А. М. Шикин, “Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 754–762; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 779–787
\RBibitem{KliFilEre16}
\by И.~И.~Климовских, М.~В.~Филянина, С.~В.~Еремеев, А.~А.~Рыбкина, А.~Г.~Рыбкин, Е.~В.~Жижин, А.~Е.~Петухов, И.~П.~Русинов, К.~А.~Кох, Е.~В.~Чулков, О.~Е.~Терещенко, А.~М.~Шикин
\paper Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 754--762
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10023}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669023}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 779--787
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416040065}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt10023
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i4/p754
Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
S. O. Filnov, Yu. A. Surnin, A. V. Koroleva, I. I. Klimovskikh, D. A. Estyunin, A. Yu. Varykhalov, K. A. Bokai, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, V. A. Golyashov, E. V. Shevchenko, A. M. Shikin, “Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3”, J. Exp. Theor. Phys., 129:3 (2019), 404
M.V. Filianina, I.I. Klimovskikh, I.A. Shvets, A.G. Rybkin, A.E. Petukhov, E.V. Chulkov, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, C. Polley, T. Balasubramanian, M. Leandersson, A.M. Shikin, “Spin and electronic structure of the topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2”, Materials Chemistry and Physics, 207 (2018), 253
Yu. A. Surnin, I. I. Klimovskikh, D. M. Sostina, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, A. M. Shikin, “Impact of Ultrathin Pb Films on the Topological Surface and Quantum-Well States of Bi2Se3 and Sb2Te3 Topological Insulators”, J. Exp. Theor. Phys., 126:4 (2018), 535
I. I. Klimovskikh, D. Sostina, A. Petukhov, A. G. Rybkin, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, A. M. Shikin, “Spin-resolved band structure of heterojunction Bi-bilayer/3D topological insulator in the quantum dimension regime in annealed Bi2Te2.4Se0.6”, Sci Rep, 7:1 (2017)
В. Я. Когай, К. Г. Михеев, Г. М. Михеев, “Получение стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi”, Письма в ЖТФ, 43:15 (2017), 34–41; V. Ya. Kogai, K. G. Mikheev, G. M. Mikheev, “Deposition of stoichiometric Bi$_{2}$Se$_{3}$ film by vacuum-thermal treatment of Se/Bi heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 701–704