|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. В. Калинина, А. А. Каташев, Г. Н. Виолина, А. М. Стрельчук, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373   ; E. V. Kalinina, A. A. Katashev, G. N. Violina, A. M. Strel'chuk, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural, electrical, and optical properties of 4$H$-SiC for ultraviolet photodetectors”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633 |
1
|
| 2. |
Е. В. Калинина, М. Ф. Кудояров, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1244–1248 ; E. V. Kalinina, M. F. Kudoyarov, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural and optical characteristics of 4$H$-SiC UV detectors irradiated with argon ions”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1478–1482 |
1
|
| 3. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, М. З. Шварц, С. А. Левина, А. В. Николаев, “Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, M. Z. Shvarts, S. A. Levina, A. V. Nikolaev, “Effect of temperature on the characteristics of 4$H$-SiC UV photodetectors”, Semiconductors, 54:2 (2020), 246–252 |
3
|
|
2019 |
| 4. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, М. А. Яговкина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, M. A. Yagovkina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Proton irradiation of 4$H$-SiC photodetectors with Schottky barriers”, Semiconductors, 53:6 (2019), 844–849 |
7
|
| 5. |
А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30 ; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046 |
|
2016 |
| 7. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 |
5
|
| 8. |
Ш. Ш. Шарофидинов, В. И. Николаев, А. Н. Смирнов, А. В. Чикиряка, И. П. Никитина, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 549–552 ; Sh. Sh. Sharofidinov, V. I. Nikolaev, A. N. Smirnov, A. V. Chikiryaka, I. P. Nikitina, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, “On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:4 (2016), 541–544 |
4
|
|
1991 |
| 9. |
В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, М. А. Чернов, “Твердые растворы SiC$-$AlN, выращенные методом бесконтейнерной
жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 50–53  |
|
1990 |
| 10. |
Ю. В. Жиляев, Р. Н. Кютт, И. П. Никитина, “Нестехиометрия состава в пленках GaAs, выращенных методом газофазной
эпитаксии”, ЖТФ, 60:11 (1990), 201–203 |
| 11. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. Назаров, И. П. Никитина, Н. К. Полетаев, Д. В. Сергеев, В. В. Травников, Л. М. Федоров, “Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида
галлия, выращенных на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1303–1305 |
|
1989 |
| 12. |
И. И. Кацавец, Л. Б. Кулева, Е. И. Леонов, И. П. Никитина, О. В. Титкова, “Фотоэлектрические и структурные свойства поверхности монокристаллов
Bi$_{12}$GeO$_{20}$ и Bi$_{12}$SiO$_{20}$”, ЖТФ, 59:12 (1989), 107–110 |
| 13. |
И. М. Баранов, Н. А. Белов, В. А. Дмитриев, Н. Г. Иванова, Т. С. Кондратьева, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, В. Ф. Шаталов, Р. Н. Эрлих, “Кристаллизация монокристаллических слоев карбида кремния на
кремнии”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989), 50–52 |
|
1988 |
| 14. |
И. М. Греськов, Н. Б. Гусева, И. П. Никитина, Л. М. Сорокин, “Влияние нейтронного облучения на структурные дефекты в бестигельном
кремнии”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1591–1593 |
| 15. |
В. М. Абусев, Е. И. Леонов, А. А. Липовский, И. П. Никитина, С. Э. Хабаров, Л. Г. Xоха, “Исследование оптических волноводных структур на основе
монокристаллических пленок селенитов”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1555–1560 |
|
1986 |
| 16. |
М. С. Васильев, М. С. Вершинин, А. О. Лебедев, Е. И. Леонов, И. П. Никитина, “Получение и некоторые свойства пьезоэлектрических слоистых структур
ZnO$-$LiNbO$_{3}$ и ZnO$-$Bi$_{12}$SiO$_{20}$”, ЖТФ, 56:2 (1986), 396–399 |
|
Обратная связь: