|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. Г. Дубровский, “Изменение формы наноостровка при селективной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 43–46   ; V. G. Dubrovskii, “Nanoisland shape variation during selective epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 701–704 |
| 2. |
В. Г. Дубровский, “Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 27–30 ; V. G. Dubrovskii, “Gallium diffusion flow direction during deposition on the surface with regular hole arrays”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 601–604 |
2
|
| 3. |
В. Г. Дубровский, “Зависимость скорости роста и структуры III–V нитевидных нанокристаллов от площади сбора адатомов на поверхности подложки”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 37–40 ; V. G. Dubrovskii, “The dependence of the growth rate and structure of III–V nanowires on the adatom collection area on the substrate surface”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 440–443 |
|
2020 |
| 4. |
V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 542 ; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 |
2
|
| 5. |
В. Г. Дубровский, И. В. Штром, “Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 15–18 ; V. G. Dubrovskii, I. V. Shtrom, “Growth kinetics of planar nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1008–1011 |
| 6. |
В. Г. Дубровский, А. С. Соколовский, И. В. Штром, “Свободная энергия образования зародыша при росте III–V нитевидного нанокристалла”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020), 3–6 ; V. G. Dubrovskii, A. S. Sokolovskii, I. V. Shtrom, “Free energy of nucleus formation during growth of III–V semiconductor nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 889–892 |
| 7. |
В. Г. Дубровский, А. С. Соколовский, H. Hijazi, “Лимитирующие режимы роста III–V нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 26–29 ; V. G. Dubrovskii, A. S. Sokolovskii, H. Hijazi, “Limits of III–V nanowire growth”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 859–863 |
2
|
| 8. |
В. Г. Дубровский, “Кинетика роста зародыша из нанофазы”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 3–6 ; V. G. Dubrovskii, “Kinetics of nucleus growth from a nanophase”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 357–360 |
1
|
|
2019 |
| 9. |
А. А. Корякин, Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2437–2441 |
3
|
|
2017 |
| 10. |
Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1480–1483 ; E. D. Leshchenko, V. G. Dubrovskii, “Inhomogeneous dopant distribution in III–V nanowires”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1427–1430 |
| 11. |
В. Г. Дубровский, “Дисперсия масштабно-инвариантных функций распределения по размерам”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 3–9 ; V. G. Dubrovskii, “Dispersion of scale-invariant size-distribution functions”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 413–415 |
|
2016 |
| 12. |
Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский, “Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1592–1594 ; N. V. Sibirev, A. A. Koryakin, V. G. Dubrovskii, “On a new method of heterojunction formation in III–V nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1566–1568 |
| 13. |
В. Г. Дубровский, “Время инкубации гетерогенного роста островков в режиме неполной конденсации”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 9–15 ; V. G. Dubrovskii, “Incubation time of heterogeneous growth of islands in the mode of incomplete condensation”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1103–1106 |
3
|
| 14. |
Е. Д. Лещенко, М. А. Турчина, В. Г. Дубровский, “Начальный этап автокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 95–102 ; E. D. Leshchenko, M. A. Turchina, V. G. Dubrovskii, “The initial stage of autocatalytic growth of GaAs filamentary nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 818–821 |
| 15. |
В. Г. Дубровский, “Функция распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 44–50 ; V. G. Dubrovskii, “The length distribution function of semiconductor filamentary nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 682–685 |
1
|
| 16. |
В. Г. Дубровский, “Модель формирования осевых гетероструктур в III–V нитевидных нанокристаллах”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 104–110 ; V. G. Dubrovskii, “A model of axial heterostructure formation in III–V semiconductor nanowires”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 332–335 |
3
|
|
1990 |
| 17. |
В. Г. Дубровский, “О новых микроскопических моделях кинетики кластеризации”, Прикл. мех. техн. физ., 31:1 (1990), 3–9 ; V. G. Dubrovskii, “New microscopic models of clustering kinetics”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 31:1 (1990), 1–8 |
|
Обратная связь: