Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 17, страницы 26–29
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.17.49889.18384 (Mi pjtf5005) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лимитирующие режимы роста III–V нитевидных нанокристаллов

В. Г. Дубровскийab, А. С. Соколовскийc, H. Hijazic

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (161 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.17.49889.18384
Аннотация: Проведен теоретический анализ кинетики роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III–V по механизму пар-жидкость-кристалл при наличии конкуренции трех процессов: скорости осаждения элемента группы V; поступления в каплю атомов группы III с учетом поверхностной диффузии; нуклеации зародышей на границе жидкость-кристалл. Получено обобщенное выражение для скорости вертикального роста нитевидного нанокристалла, которое может быть лимитировано одним из трех указанных процессов. Проанализированы различные режимы роста с Au- и Ga-катализаторами в зависимости от потоков элементов групп III и V и радиуса нитевидного нанокристалла.
Ключевые слова: III–V нитевидный нанокристалл, механизм роста пар-жидкость-кристалл, нуклеация, поверхностная диффузия, соотношение потоков V/III.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-30004
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 19-72-30004).
Поступила в редакцию: 19.05.2020
Исправленный вариант: 19.05.2020
Принята в печать: 28.05.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 9, Pages 859–863
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020090035
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Дубровский, А. С. Соколовский, H. Hijazi, “Лимитирующие режимы роста III–V нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 26–29; Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 859–863
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DubSokHij20}
\by В.~Г.~Дубровский, А.~С.~Соколовский, H.~Hijazi
\paper Лимитирующие режимы роста III--V нитевидных нанокристаллов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 17
\pages 26--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5005}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.17.49889.18384}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041242}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 9
\pages 859--863
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020090035}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5005
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i17/p26
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024