Функция распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине

На основе адсорбционно-диффузионной модели роста проведен анализ функции распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине. Показано, что асимптотическое распределение имеет вид гауссиана. Если диффузионный поток на вершину осуществляется со всей боковой поверхности, то средняя длина как функция времени увеличивается экспоненциально, а среднеквадратичное отклонение пропорционально средней длине (экспоненциальный режим роста). Если диффузионный сбор адатомов происходит только с верхней части кристалла, то средняя длина увеличивается линейно, а среднеквадратичное отклонение равно квадратному корню из средней длины (линейный пуассоновский режим роста). В реальных системах переход от экспоненциального к пуассоновскому росту происходит при длинах порядка диффузионной длины адатомов. Фактически разброс распределения устанавливается на экспоненциальной стадии. Дана общая классификация распределений по длине различных кристаллов. Показано, что самоиндуцированные GaN- и Ga-каталитические III–V нитевидные нанокристаллы должны быть более однородны, чем Au-каталитические.