|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий
В. Г. Дубровский Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Автокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP часто осуществляется на поверхностях SiO$_{x}$/Si(111) с массивами литографически подготовленных отверстий. Капли Ga создаются в процессе предварительного осаждения в отсутствие потока As. Ранее считалось, что диффузионный поток Ga направлен с поверхности маски в отверстия. Нами показано, что направление диффузионного потока может быть различным в зависимости от параметров роста. Модель применима для описания времен инкубации капель и позволяет объяснить длительную задержку нуклеации капель и нитевидных нанокристаллов.
Ключевые слова:
поверхностная диффузия, массивы отверстий, оксидный слой кремния, капли галлия.
Поступила в редакцию: 12.03.2021 Исправленный вариант: 12.03.2021 Принята в печать: 22.03.2021
Образец цитирования:
В. Г. Дубровский, “Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 27–30; Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 601–604
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4759 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i12/p27
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 66 | PDF полного текста: | 12 |
|