Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 12, страницы 2437–2441
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.12.48574.31ks (Mi ftt8589) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Системы низкой размерности

Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

А. А. Корякинab, Е. Д. Лещенкоbc, В. Г. Дубровскийb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Lund, Sweden
PDF полного текста (268 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.12.48574.31ks
Аннотация: Проведено теоретическое исследование влияния упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$. Построены профили состава осевого гетероперехода InAs/GaAs в самокаталитических нитевидных нанокристаллах Ga$_{x}$In$_{1-x}$As. Показано, что ширина гетероперехода InAs/GaAs составляет десятки монослоев и возрастает с увеличением радиуса нитевидного нанокристалла из-за упругих напряжений. Релаксация упругих напряжений на боковых поверхностях нитевидных нанокристаллов при типичной температуре роста (около 450$^\circ$C) и радиусе нитевидных нанокристаллов больше 5 nm не приводит к возникновению области несмешиваемости в системе Ga$_{x}$In$_{1-x}$As.
Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, полупроводники III–V, гетероструктуры, эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-32-00559
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 18-32-00559).
Поступила в редакцию: 16.07.2019
Исправленный вариант: 16.07.2019
Принята в печать: 25.07.2019
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 12
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783419120230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Корякин, Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2437–2441
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorLesDub19}
\by А.~А.~Корякин, Е.~Д.~Лещенко, В.~Г.~Дубровский
\paper Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 12
\pages 2437--2441
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8589}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.12.48574.31ks}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571150}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8589
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i12/p2437
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024