|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
A. V. Inyushkin, A. N. Taldenkov, D. A. Chernodubov, V. V. Voronenkov, Yu. G. Shreter, “High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination”, Письма в ЖЭТФ, 112:2 (2020), 112–113     ; JETP Letters, 112:2 (2020), 106–111 |
11
|
|
2019 |
| 2. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер, “Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 104–110 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter, “Current noise and efficiency droop of light-emitting diodes in defect-assisted carrier tunneling from an InGaN/GaN quantum well”, Semiconductors, 53:1 (2019), 99–105 |
7
|
|
2018 |
| 3. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер, “Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 796–803 ; N. I. Bochkareva, Yu. G. Shreter, “Effect of deep centers on charge-carrier confinement in InGaN/GaN quantum wells and on led efficiency”, Semiconductors, 52:7 (2018), 934–941 |
9
|
|
2017 |
| 4. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, П. Н. Воронцов-Вельяминов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1235–1242 ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, P. N. Vorontsov-Velyaminov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “Hopping conductivity and dielectric relaxation in Schottky barriers on GaN”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1186–1193 |
10
|
| 5. |
В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123 ; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 |
2
|
|
2016 |
| 6. |
Н. И. Бочкарева, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1387–1394 ; N. I. Bochkareva, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “Efficiency droop in GaN LEDs at high injection levels: Role of hydrogen”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1369–1376 |
7
|
| 7. |
М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716 ; M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, V. V. Voronenkov, Yu. T. Rebane, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, Yu. G. Shreter, “On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates”, Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704 |
4
|
| 8. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102 |
5
|
| 9. |
А. С. Алтахов, Р. И. Горбунов, Л. А. Кашарина, Ф. Е. Латышев, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 32–38 ; A. Altakhov, R. I. Gorbunov, L. A. Kasharina, F. E. Latyshev, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “Amorphous carbon buffer layers for separating free gallium nitride films”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1076–1078 |
4
|
|
1992 |
| 10. |
Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, С. С. Рувимов, А. А. Ситникова, Д. В. Тархин, Ю. Г. Шретер, “Классификация линий дислокационной люминесценции в кремнии”, Физика твердого тела, 34:5 (1992), 1513–1521 |
|
1990 |
| 11. |
Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер, “Одномерный дислокационный экситон в кристаллах германия”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2778–2781 |
| 12. |
Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер, “Расщепление линии дислокационного экситона в кристаллах с неравновесными дислокациями”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2774–2777 |
|
Обратная связь: