Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, том 112, выпуск 2, страницы 112–113
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820140086 (Mi jetpl6219) 		 
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination

A. V. Inyushkina, A. N. Taldenkova, D. A. Chernodubova, V. V. Voronenkovb, Yu. G. Shretercb

a National Research Center Kurchatov Institute, 123182 Moscow, Russia
b Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
c Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, 195251 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (155 kB) Список цитирования (11)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820140086
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-07-00229
Национальный исследовательский центр Курчатовский институт
Thermal conductivity, Raman, and magnetic measurements were carried out in the Resource Center funded by National Research Center “Kurchatov Institute”. A. V. Inyushkin, A. N. Taldenkov, and D. A. Chernodubov acknowledge financial support from the Russian Foundation for Basic Research (Grant # 19-07-00229).
Поступила в редакцию: 19.05.2020
Исправленный вариант: 01.06.2020
Принята в печать: 02.06.2020
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, Volume 112, Issue 2, Pages 106–111
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364020140039
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Inyushkin, A. N. Taldenkov, D. A. Chernodubov, V. V. Voronenkov, Yu. G. Shreter, “High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination”, Письма в ЖЭТФ, 112:2 (2020), 112–113; JETP Letters, 112:2 (2020), 106–111
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{InyTalChe20}
\by A.~V.~Inyushkin, A.~N.~Taldenkov, D.~A.~Chernodubov, V.~V.~Voronenkov, Yu.~G.~Shreter
\paper High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2020
\vol 112
\issue 2
\pages 112--113
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6219}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567820140086}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45437213}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2020
\vol 112
\issue 2
\pages 106--111
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364020140039}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000550599400003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85088234995}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6219
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v112/i2/p112
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:94
    PDF полного текста:15
    Список литературы:21
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024