|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
С. О. Слипченко, О. С. Соболева, В. С. Головин, Н. А. Пихтин, “Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 17–24  [S. O. Slipchenko, O. S. Soboleva, V. S. Golovin, N. A. Pikhtin, “Cavity optimisation of high-power InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ=1060 nm) for efficient operation at ultrahigh pulsed pump currents”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S535–S546] |
2
|
|
2022 |
| 2. |
С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин, “Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 343–350 [S. O. Slipchenko, V. S. Golovin, O. S. Soboleva, I. A. Lamkin, N. A. Pikhtin, “Analysis of light–current characteristics of high-power semiconductor lasers (1060 nm) in a steady-state 2D model”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 343–350  ] |
6
|
|
2021 |
| 3. |
А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 466–472  |
|
2020 |
| 4. |
О. С. Соболева, В. С. Головин, В. С. Юферев, П. С. Гаврина, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, “Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 478–483 ; O. S. Soboleva, V. S. Golovin, V. S. Yuferev, P. S. Gavrina, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, “Modeling the spatial switch-on dynamics of a laser thyristor ($\lambda$ = 905 nm) based on an AlGaAs/InGaAs/GaAs multi-junction heterostructure”, Semiconductors, 54:5 (2020), 575–580 |
5
|
| 5. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 452–457 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Carrier-transport processes in $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs isotype heterostructures with a thin wide-gap AlGaAs barrier”, Semiconductors, 54:5 (2020), 529–533 |
2
|
| 6. |
В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв, “Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 147–152 [V. S. Golovin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Longitudinal spatial hole burning in high-power semiconductor lasers: numerical analysis”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 147–152  ] |
10
|
|
2019 |
| 7. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 816–823 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Specific features of carrier transport in $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ structures with a GaAs/AlGaAs heterojunction at ultrahigh current densities”, Semiconductors, 53:6 (2019), 806–813 |
5
|
| 8. |
П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 7–11 ; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Experimental studies of the on-state propagation dynamics of low-voltage laser-thyristors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378 |
3
|
| 9. |
В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза”, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174 [V. V. Shamakhov, D. N. Nikolaev, V. S. Golovin, D. A. Veselov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of multimode semiconductor lasers with buried mesas”, Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174 ] |
1
|
|
Обратная связь: