|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов, “Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 810–815  ; K. V. Likhachev, I. D. Breev, S. V. Kidalov, P. G. Baranov, S. S. Nagalyuk, A. V. Ankudinov, A. N. Anisimov, “6H-SiC nanoparticles integrated with an atomic force microscope for scanning quantum sensors”, JETP Letters, 116:11 (2022), 840–845 |
3
|
|
2021 |
| 2. |
Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021), 533–540 ; R. A. Babunts, A. N. Anisimov, I. D. Breev, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Fully optical detection of hyperfine electron–nuclear interactions in spin centers in 6h-sic crystals with a modified 13c isotope content”, JETP Letters, 114:8 (2021), 463–469  |
3
|
| 3. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278  |
3
|
| 4. |
С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев, “Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 513–517  ; S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, B. Ya. Ber, A. A. Anisimov, I. D. Breev, “Origin of green coloration in AlN crystals grown on SiC seeds”, Semiconductors, 55:6 (2021), 546–550 |
| 5. |
И. Д. Бреев, В. Д. Яковлева, О. С. Кудрявцев, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, А. Н. Анисимов, “Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 251–255 ; I. D. Breev, V. V. Yakovleva, O. S. Kudryavtsev, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, A. N. Anisimov, “On the Raman scattering, infrared absorption, and luminescence spectroscopy of aluminum nitride doped with beryllium”, Semiconductors, 55:3 (2021), 328–332 |
|
2020 |
| 6. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020), 813–819 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “High-temperature spin manipulation on color centers in rhombic silicon carbide polytype 21R-SiC”, JETP Letters, 112:12 (2020), 774–779 |
4
|
|
2019 |
| 7. |
И. Д. Бреев, А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова, Е. Н. Мохов, “Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1593–1596 ; I. D. Breev, A. N. Anisimov, A. A. Vol'fson, O. P. Kazarova, E. N. Mokhov, “Raman scattering in AlN crystals grown by sublimation on SiC и AlN seeds”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1558–1561 |
9
|
| 8. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, М. В. Музафарова, П. Г. Баранов, “Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов”, Письма в ЖТФ, 45:10 (2019), 22–26 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, M. V. Muzafarova, P. G. Baranov, “A scanning optical quantum magnetometer based on the phenomenon of burning holes”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 494–498 |
|
2018 |
| 9. |
А. Н. Анисимов, В. А. Солтамов, И. Д. Бреев, М. М. Халисов, Р. А. Бабунц, А. В. Анкудинов, П. Г. Баранов, “Физические основы применения сканирующего зонда со спиновыми центрами в SiC для субмикронного квантового зондирования магнитных полей и температур”, Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018), 643–649 ; A. N. Anisimov, V. A. Soltamov, I. D. Breev, M. M. Khalisov, R. A. Babunts, A. V. Ankudinov, P. G. Baranov, “Physical foundations of an application of scanning probe with spin centers in SiC for the submicron quantum probing of magnetic fields and temperatures”, JETP Letters, 108:9 (2018), 610–615 |
6
|
|
Обратная связь: