|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. В. Рябцев, Д. А. А. Гхариб, С. Ю. Турищев, Л. А. Обвинцева, А. В. Шапошник, Э. П. Домашевская, “Структурные и газочувствительные характеристики тонких полупроводниковых пленок PdO различной толщины при детектировании озона”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1034–1039   |
2
|
|
2019 |
| 2. |
Э. П. Домашевская, С. А. Ивков, А. В. Ситников, О. В. Стогней, А. Т. Козаков, А. В. Никольский, “Влияние относительного содержания металлической компоненты в диэлектрической матрице на образование и размеры нанокристаллов кобальта в пленочных композитах Co$_{x}$(MgF$_{2}$)$_{100-x}$”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 211–219 ; È. P. Domashevskaya, S. A. Ivkov, A. V. Sitnikov, O. V. Stognei, A. T. Kozakov, A. V. Nikol'skii, “The influence of relative content of a metal component in a dielectric matrix on the formation and dimensions of cobalt nanocrystallites in Co$_{x}$(MgF$_{2}$)$_{100-x}$ film composites”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 71–79 |
10
|
| 3. |
Э. П. Домашевская, Д. Л. Голощапов, Аль Хайлани Хасан Исмаил Дамбос, Е. В. Руднев, М. В. Гречкина, С. В. Рябцев, “Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 940–946 ; È. P. Domashevskaya, D. L. Goloshchapov, Al Khailani Hasan Ismail Dambos, E. V. Rudnev, M. V. Grechkina, S. V. Ryabtsev, “On the morphology and optical properties of molybdenum disulfide nanostructures from a monomolecular layer to a fractal-like substructure”, Semiconductors, 53:7 (2019), 923–929 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
В. А. Терехов, Д. С. Усольцева, О. В. Сербин, И. Е. Занин, Т. В. Куликова, Д. Н. Нестеров, К. А. Барков, А. В. Ситников, С. К. Лазарук, Э. П. Домашевская, “Особенности фазообразования и электронного строения в пленочных композитах Al$_{1-x}$Si$_{x}$ при магнетронном и ионно-лучевом напылении”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 1005–1011 ; V. A. Terekhov, D. S. Usol'tseva, O. V. Serbin, I. E. Zanin, T. V. Kulikova, D. N. Nesterov, K. A. Barkov, A. V. Sitnikov, S. K. Lazaruk, È. P. Domashevskaya, “Phase formation and electronic structure peculiarities in the Al$_{1-x}$Si$_{x}$ film composites under the conditions of magnetron and ion-beam sputtering”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 1021–1028 |
1
|
| 5. |
Д. Л. Голощапов, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита”, Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018), 191–196 ; D. L. Goloshchapov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Photoluminescence properties of nanoporous nanocrystalline carbonate-substituted hydroxyapatite”, Optics and Spectroscopy, 124:2 (2018), 187–192 |
6
|
|
2017 |
| 6. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, П. В. Середин, А. Н. Бельтюков, Ф. З. Гильмутдинов, “Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 773–782 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, È. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Beltyukov, F. Z. Gilmutdinov, “Composition of nanocomposites of thin tin layers on porous silicon, formed by magnetron sputtering”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 791–800 |
| 7. |
Э. П. Домашевская, А. А. Гуда, А. В. Чернышев, В. Г. Ситников, “Особенности локальной атомной структуры металлических слоев многослойных наноструктур (CoFeZr/SiO$_{2}$)$_{32}$ и (CoFeZr/$a$-Si)$_{40}$ с различными прослойками”, Физика твердого тела, 59:2 (2017), 373–378 ; È. P. Domashevskaya, A. A. Guda, A. V. Chernyshev, V. G. Sitnikov, “Specific features of the atomic structure of metallic layers of multilayered (CoFeZr/SiO$_{2}$)$_{32}$ and (CoFeZr/$a$-Si)$_{40}$ nanostructures with different interlayers”, Phys. Solid State, 59:2 (2017), 385–391 |
1
|
| 8. |
Э. П. Домашевская, Н. С. Буйлов, В. А. Терехов, К. А. Барков, В. Г. Ситников, “Электронное строение и фазовый состав диэлектрических прослоек в многослойной аморфной наноструктуре [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$”, Физика твердого тела, 59:1 (2017), 161–166 ; È. P. Domashevskaya, N. S. Builov, V. A. Terekhov, K. A. Barkov, V. G. Sitnikov, “Electronic structure and phase composition of dielectric interlayers in multilayer amorphous nanostructure [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 168–173 |
5
|
| 9. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, А. В. Ершов, А. И. Машин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 363–366 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, A. V. Ershov, A. I. Mashin, E. V. Parinova, D. N. Nesterov, D. A. Grachev, I. A. Karabanova, È. P. Domashevskaya, “Formation of silicon nanocrystals in multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/insulator structures from the results of synchrotron investigations”, Semiconductors, 51:3 (2017), 349–352 |
5
|
|
2016 |
| 10. |
М. Д. Манякин, С. И. Курганский, О. И. Дубровский, О. А. Чувенкова, Э. П. Домашевская, С. Ю. Турищев, “Ab initio моделирование и синхротронные рентгеноспектральные исследования оксидов олова вблизи Sn $L_{3}$-краев поглощения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2294–2298 ; M. D. Manyakin, S. I. Kurganskii, O. I. Dubrovskii, O. A. Chuvenkova, È. P. Domashevskaya, S. Yu. Turishchev, “Ab initio calculation and synchrotron X-ray spectroscopy investigations of tin oxides near the Sn $L_{3}$”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2379–2384 |
1
|
| 11. |
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. Е. Спирин, А. В. Чернышев, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников, “Межатомные взаимодействия на интерфейсах многослойных наноструктур (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/a-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_{2}$)$_{32}$”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 991–999 ; È. P. Domashevskaya, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, D. E. Spirin, A. V. Chernyshev, Yu. E. Kalinin, A. V. Sitnikov, “Interatomic interactions at interfaces of multilayered nanostructures (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ and (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/Si$_{2}$)$_{32}$”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 1024–1033 |
6
|
| 12. |
Э. П. Домашевская, Е. А. Михайлюк, Т. В. Прокопова, Н. Н. Безрядин, “Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 313–317 ; È. P. Domashevskaya, E. A. Mikhailyuk, T. V. Prokopova, N. N. Bezryadin, “Deep centers at the interface in In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs and In$_{2}$Te$_{3}$/InAs heterostructures”, Semiconductors, 50:3 (2016), 309–313 |
| 13. |
В. А. Терехов, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Е. В. Паринова, Д. Е. Спирин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 212–217 ; V. A. Terekhov, E. I. Terukov, Yu. K. Undalov, E. V. Parinova, D. E. Spirin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Composition and optical properties of amorphous $a$-SiO$_x$ :H films with silicon nanoclusters”, Semiconductors, 50:2 (2016), 212–216 |
3
|
| 14. |
С. В. Рябцев, О. А. Чувенкова, С. В. Канныкин, А. Е. Попов, Н. С. Рябцева, С. С. Воищев, С. Ю. Турищев, Э. П. Домашевская, “Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 180–184 ; S. V. Ryabtsev, O. A. Chuvenkova, S. V. Kannykin, A. E. Popov, N. S. Ryabtseva, S. S. Voischev, S. Yu. Turishchev, È. P. Domashevskaya, “On the electrical and optical properties of oxide nanolayers produced by the thermal oxidation of metal tin”, Semiconductors, 50:2 (2016), 180–184 |
|
1991 |
| 15. |
Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, Э. П. Домашевская, “Исследование энергетического спектра локализованных Д-состояний в объеме и на поверхности $a$-Si : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии”, Физика твердого тела, 33:10 (1991), 3033–3038  |
| 16. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость
аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1448–1450 |
| 17. |
Э. П. Домашевская, Е. Н. Неврюева, Г. Г. Грушка, Н. П. Говалешко, А. С. Баев, В. А. Терехов, “Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной
зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 893–897 |
|
1989 |
| 18. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Казанин, В. Х. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного
кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 450–455 |
| 19. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, Н. Н. Арсентьев, Т. М. Иванова, “Электронное строение валентной зоны твердых растворов
Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As и GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
по данным рентгеновской спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 268–273 |
|
1988 |
| 20. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, А. Таджиев, В. А. Терехов, “Плотность электронных состояний соединений MB$_{66}$”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 899–901 |
|
1987 |
| 21. |
В. В. Кукуев, Е. А. Тутов, Э. П. Домашевская, М. В. Яновская, В. Е. Обвинцева, Ю. Н. Веневцев, “Управление плотностью эффективного поверхностного заряда в МДП
структуре с пленкой триоксида вольфрама”, ЖТФ, 57:10 (1987), 1957–1961 |
|
1986 |
| 22. |
Ю. К. Тимошенко, Э. П. Домашевская, А. Н. Латышев, “Локальные электронные состояния иодного центра в AgCl”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2191–2193 |
| 23. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, Ю. А. Тетерин, И. М. Раренко, Э. П. Домашевская, “Влияние $5d$-электронов ртути на захлопывание запрещенной зоны
в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1658–1661 |
|
1985 |
| 24. |
С. В. Власов, Э. П. Домашевская, С. И. Курганский, Г. П. Нижникова, О. В. Фарберович, “Структура валентной полосы соединения с промежуточной валентностью SmB$_{6}$”, Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2173–2175 |
|
1984 |
| 25. |
О. В. Фарберович, Г. П. Нижникова, С. В. Власов, Э. П. Домашевская, “Самосогласованная релятивистская зонная структура соединения TmS в приближении функционала локальной плотности”, Физика твердого тела, 26:2 (1984), 554–556 |
| 26. |
В. А. Терехов, О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, С. Н. Тростянский, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, “Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1897–1899 |
|
1983 |
| 27. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, В. В. Горбачев, Ю. А. Тетерин, Э. П. Домашевская, “Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным”, Физика твердого тела, 25:8 (1983), 2482–2484 |
|
1964 |
| 28. |
Я. А. Угай, Э. П. Домашевская, “К вопросу о природе химической связи в полупроводниковых соединениях
$\mathrm{A}^{\mathrm{III}}\mathrm{B}^{\mathrm{V}}$”, Докл. АН СССР, 156:2 (1964), 430–433 |
|
Обратная связь: