|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Лазаренко, К. Ю. Шубина, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, “Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1077–1080   |
|
2017 |
| 2. |
А. А. Лазаренко, К. А. Иванов, А. Р. Губайдуллин, М. А. Калитеевский, “Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 547–550 ; A. Lazarenko, K. A. Ivanov, A. R. Gubaidullin, M. A. Kaliteevskii, “Optimization of vertical cavity lasers with intracavity metal layers”, Semiconductors, 51:4 (2017), 520–523 |
1
|
| 3. |
Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубавкина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 276–280 ; N. V. Kryzhanovskaya, Yu. S. Polubavkina, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, A. Lazarenko, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4$^\circ$ substrates”, Semiconductors, 51:2 (2017), 267–271 |
4
|
| 4. |
Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Т. Н. Березовская, “Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 97–102 ; E. V. Nikitina, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, T. N. Berezovskaya, “The influence of metamorphic-buffer layer design on the retention of characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic HEMT”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 863–865 |
1
|
|
2016 |
| 5. |
Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667 ; E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 |
3
|
| 6. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 14–19 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “The influence of an In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 284–286 |
3
|
|
Обратная связь: