Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 6, страницы 14–19 (Mi pjtf6468)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов

А. А. Лазаренкоa, Е. В. Никитинаa, Е. В. Пироговa, М. С. Соболевa, А. Ю. Егоровbc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (120 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Исследовано влияние толщины переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на подвижность электронов в канале InAlAs/InGaAs/GaAs HEMT-транзистора с метаморфным буфером. Исследования проводились методами атомно-силовой микроскопии и методом Холла. Оптимальная конструкция буфера способствует подавлению прорастания дислокаций несоответствия в верхние слои гетероструктуры и препятствует развитию микрорельефа поверхности.
Поступила в редакцию: 17.08.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 3, Pages 284–286
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016030238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 14–19; Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 284–286
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LazNikPir16}
\by А.~А.~Лазаренко, Е.~В.~Никитина, Е.~В.~Пирогов, М.~С.~Соболев, А.~Ю.~Егоров
\paper Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 6
\pages 14--19
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6468}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368144}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 3
\pages 284--286
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016030238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6468
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i6/p14
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024