|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1240–1247   |
|
2020 |
| 2. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, В. Г. Ремесник, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения”, Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020), 1815–1820 ; V. A. Shvets, D. V. Marin, V. G. Remesnik, I. A. Azarov, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Parametric model of the optical constant spectra of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te and determination of the compound composition”, Optics and Spectroscopy, 128:12 (2020), 1948–1953 |
4
|
| 3. |
К. Н. Астанкова, В. А. Володин, И. А. Азаров, “О структуре тонких пленок монооксида германия”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1296–1301 ; K. N. Astankova, V. A. Volodin, I. A. Azarov, “Structure of germanium monoxide thin films”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1555–1560 |
13
|
|
2019 |
| 4. |
В. А. Швец, И. А. Азаров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 137–142 ; V. A. Shvets, I. A. Azarov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Ellipsometric method for measuring the CdTe buffer-layer temperature in the molecular-beam epitaxy of CdHgTe”, Semiconductors, 53:1 (2019), 132–137 |
4
|
|
2018 |
| 5. |
К. Н. Астанкова, А. С. Кожухов, И. А. Азаров, Е. Б. Горохов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 696–700 ; K. N. Astankova, A. S. Kozhukhov, I. A. Azarov, E. B. Gorokhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Local anodic oxidation of thin GeO films and formation of nanostructures based on them”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 700–704 |
2
|
| 6. |
E. B. Gorokhov, K. N. Astankova, I. A. Azarov, V. A. Volodin, A. V. Latyshev, “New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 517 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 628–631 |
2
|
|
2015 |
| 7. |
И. П. Русинов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, А. Р. Шахмаметова, И. А. Азаров, Е. В. Чулков, “Роль анизотропии и спин-орбитального взаимодействия в оптических и диэлектрических свойствах соединений BiTeI и BiTeCl”, Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015), 563–568 ; I. P. Rusinov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, A. R. Shakhmametova, I. A. Azarov, E. V. Chulkov, “Role of anisotropy and spin-orbit interaction in the optical and dielectric properties of BiTeI and BiTeCl compounds”, JETP Letters, 101:8 (2015), 507–512   |
13
|
|
Обратная связь: