|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 356–359   ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. N. Rodin, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Formation of semipolar III-nitride layers on patterned Si(100) substrates with a self-forming nanomask”, Semiconductors, 55:4 (2021), 395–398 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
|
2018 |
| 3. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Semipolar gan layers grown on nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527 |
8
|
|
2015 |
| 4. |
И. М. Ахмеджанов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Сравнительный анализ двух методов расчета коэффициента отражения черного кремния”, Квантовая электроника, 45:4 (2015), 385–390 [I. M. Akhmedzhanov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Comparative analysis of two methods for calculating reflectance of black silicon”, Quantum Electron., 45:4 (2015), 385–390   ] |
1
|
|
Обратная связь: