Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 4, страницы 385–390 (Mi qe16145)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Сравнительный анализ двух методов расчета коэффициента отражения черного кремния

И. М. Ахмеджановa, Д. С. Кибаловb, В. К. Смирновb

a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: Выполнено детальное численное моделирование процесса отражения излучения видимого диапазона от субволновой решетки с прямоугольным профилем на поверхности кремния. Моделирование проведено методами эффективного показателя преломления и связанных мод. Получены и проанализированы зависимости коэффициента отражения от глубины решетки, параметра заполнения и угла падения для ТЕ и ТМ поляризаций. Выявлено хорошее совпадение результатов, полученных обоими методами при периодах решетки ~100 нм. Показана возможность снижения коэффициента отражения поляризованного излучения до ~1% путем подбора глубины и параметра заполнения решетки. Рассмотрены особенности проявления эффекта Брюстера (псевдобрюстеровский угол) в рассматриваемой системе. Показана возможность существования псевдобрюстеровского угла, а также его отсутствия для обеих поляризаций падающего излучения, в зависимости от параметров прямоугольной наноструктуры на поверхности.
Ключевые слова: черный кремний, субволновая решетка, коэффициент отражения, псевдобрюстеровский угол.
Поступила в редакцию: 20.02.2014
Исправленный вариант: 22.05.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 4, Pages 385–390
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n04ABEH015415
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.05.U-, 85.60.-q, 42.25.Gy, 78.67.-n


Образец цитирования: И. М. Ахмеджанов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Сравнительный анализ двух методов расчета коэффициента отражения черного кремния”, Квантовая электроника, 45:4 (2015), 385–390 [Quantum Electron., 45:4 (2015), 385–390]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16145
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i4/p385
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:205
    PDF полного текста:113
    Список литературы:29
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024