|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
М. Хоссейни, Х. Каатузян, И. Тагави, Х. Годси, “Эффективный транспорт носителей в транзисторных GRIN-SCH-лазерах”, Квантовая электроника, 49:4 (2019), 391–398  [M. Hosseini, H. Kaatuzian, I. Taghavi, H. Ghodsi, “Efficient carrier transport in GRIN-SCH transistor lasers”, Quantum Electron., 49:4 (2019), 391–398   ] |
1
|
|
2018 |
| 2. |
Б. Чупанзаде, Х. Катузян, Р. Кохандани, “Анализ влияния изменений геометрических размеров и внешнего магнитного поля на оптические свойства замедлителей света на квантовых точках InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 582–588  [B. Choupanzadeh, H. Katuzian, R. Kohandani, “Analysis of the influence of geometrical dimensions and external magnetic field on optical properties of InGaAs/GaAs quantum-dot slow light devices”, Quantum Electron., 48:6 (2018), 582–588 ] |
5
|
| 3. |
С. Абдолхоссейни, Х. Каатузян, Р. Кохандани, Б. Чупанзаде, “Теоретическое исследование влияния толщины барьера на оптические свойства полупроводникового устройства для замедления света на множественных квантовых ямах”, Квантовая электроника, 48:1 (2018), 29–36 [S. Abdolhosseini, H. Kaatuzian, R. Kohandani, B. Choupanzadeh, “A theoretical study of the influence of barrier thickness variations on optical properties of a semiconductor multiple quantum well slow light device”, Quantum Electron., 48:1 (2018), 29–36 ] |
2
|
|
2015 |
| 4. |
Р. Кохандани, Х. Каатузян, “Теоретический анализ устройств на медленном свете в множественных квантовых ямах, находящихся под действием приложенных внешних полей, с помощью полностью аналитической модели дробной размерности”, Квантовая электроника, 45:1 (2015), 89–94 [R. Kohandani, H. Kaatuzian, “Theoretical analysis of multiple quantum-well, slow-light devices under applied external fields using a fully analytical model in fractional dimension”, Quantum Electron., 45:1 (2015), 89–94 ] |
9
|
|
Обратная связь: