Эффективный транспорт носителей в транзисторных GRIN-SCH-лазерах

Представлены аналитические и теоретические результаты моделирования работы градиентного транзисторного лазера с одиночной квантовой ямой. Изучены характеристики устройства для различных ограничивающих структур с использованием подходящей модели транспорта носителей заряда. Вычислены физические параметры, в том числе константа диффузии и коэффициент оптического ограничения, и на этой основе исследована зависимость оптического отклика как от силы тока, так и от типа структуры (например, при различном легировании базы и разных длинах резонатора). Показано, что использование слоев с градиентом показателя преломления из Al_ξGa_1-ξAs (ξ = 0.1 . . . 0) в левой части квантовой ямы и из Al_ξGa_1-ξAs (ξ = 0.05 . . . 0) в ее правой части (вместо GaAs в области базы) увеличивает выходную оптическую мощность в три раза, полностью устраняет резонансный пик и, что самое важное, увеличивает ширину оптической полосы на ~37% по сравнению с обычной структурой без градиента показателя преломления базы.