Теоретический анализ устройств на медленном свете в множественных квантовых ямах, находящихся под действием приложенных внешних полей, с помощью полностью аналитической модели дробной размерности

Представлены результаты теоретического исследования оптических свойств устройств на медленном свете в множественных квантовых AlGaAs/GaAs-ямах различной ширины на основе осцилляций экситонной населенности под действием приложенных внешних магнитных и электрических полей с использованием аналитической модели комплексной диэлектрической проницаемости Ванье экситонов дробной размерности.Показано, что такие существенные характеристики экситона в квантовых ямах, как его энергия и сила осциллятора, можно варьировать путем приложения внешних магнитных и электрических полей. Обнаружено, что большая ширина полосы и подходящий фактор замедления устройств на основе квантовых ям могут быть достигнуты путем изменения ширины квантовой ямы в процессе изготовления и приложения магнитного и электрического полей соответственно при функционировании устройства. Показано, что в лучшем случае фактор замедления может составить10⁵.