Теоретическое исследование влияния толщины барьера на оптические свойства полупроводникового устройства для замедления света на множественных квантовых ямах

Дано объяснение влияния толщины барьера на функционирование устройств для замедления света на множественных квантовых ямах (МКЯ) в GaAs /AlGaAs как следствие влияния когерентных осцилляций населенности на фактор замедления и ширину полосы таких устройств. Для анализа и моделирования устройств для замедления света использовались уравнения Блоха и аналитическая модель в пространстве дробной размерности. Показано, что другие физические параметры структур на МКЯ (ширина квантовой ямы и концентрация примеси в барьере) также оказывают заметное влияние на оптические свойства устройства. Предложенные подходы позволяют получить устройство с желаемыми значениями фактора замедления и центральной частоты путем подбора толщины барьера, ширины квантовой ямы и содержания алюминия. Максимальный диапазон перестройки частоты составил в наших расчетах ~1 ТГц, а фактор замедления достигал 8.5 × 10⁴.