Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 6, страницы 582–588 (Mi qe16832)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Анализ влияния изменений геометрических размеров и внешнего магнитного поля на оптические свойства замедлителей света на квантовых точках InGaAs/GaAs

Б. Чупанзаде, Х. Катузян, Р. Кохандани

Photonics Research Lab, Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Iran
Список литературы:
Аннотация: Проведено моделирование влияния размеров квантовых точек (КТ) и внешнего магнитного поля на замедлители света, действие которых основано на когерентных осцилляциях населенностей в ансамбле квантовых точек InGaAs/GaAs. Физические параметры КТ, такие как радиус и высота, варьировались около средних значений, которые полагались равными 8 и 5 нм соответственно. Предпринята попытка улучшить оптические характеристики путем наложения внешнего сильного магнитного поля. Обсуждаются методы изменения таких оптических свойств замедлителя света, как фактор замедления, ширина полосы и энергия связи экситона. Показано, что для замедлителя света на КТ возможен сдвиг центральной частоты до 5 ТГц и достижение фактора замедления до 5000.
Ключевые слова: квантовые точки, осцилляции населенностей экситонных состояний, медленный свет, сдвиг центральной частоты, фактор замедления.
Поступила в редакцию: 05.10.2017
Исправленный вариант: 06.01.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 6, Pages 582–588
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16530
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Б. Чупанзаде, Х. Катузян, Р. Кохандани, “Анализ влияния изменений геометрических размеров и внешнего магнитного поля на оптические свойства замедлителей света на квантовых точках InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 582–588 [Quantum Electron., 48:6 (2018), 582–588]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16832
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i6/p582
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:149
    PDF полного текста:40
    Список литературы:24
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024