|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3$D$-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1573–1580   ; A. V. Fadeev, K. V. Rudenko, “Atomic layer deposition of thin films onto 3$D$ nanostructures: the effect of wall tilt angle and aspect ratio of trenches”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1525–1532 |
2
|
| 2. |
А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1264–1272 ; A. V. Fadeev, K. V. Rudenko, “Analytical model for atomic-layer deposition of thin films on the walls of cylindrical holes with a relatively high aspect ratio”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1228–1235 |
3
|
| 3. |
А. В. Фадеев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения пленок на 3D-структурах с высоким аспектным отношением”, ЖТФ, 88:2 (2018), 243–250 ; A. V. Fadeev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, “Analytical model of atomic layer deposition of films on 3D structures with high aspect ratios”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 235–242 |
6
|
|
2016 |
| 4. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Э. Д. Жанаев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, А. В. Глухов, “Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 643–649 ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, E. D. Zhanaev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, A. V. Glukhov, “Biosensor properties of SOI nanowire transistors with a PEALD Al$_{2}$O$_{3}$ dielectric protective layer”, Semiconductors, 50:5 (2016), 632–638 |
15
|
|
Обратная связь: