|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физическая электроника
Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3$D$-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей
А. В. Фадеев, К. В. Руденко Физико-технологический институт РАН, г. Москва
Аннотация:
Развита теоретическая модель, предсказывающая пространственный профиль пленки, выращиваемой на стенках методом атомно-слоевого осаждения. Модель учитывает возможность исходного отклонения стенок тренча от вертикали, а также динамическое изменение аспектного отношения структуры по мере роста пленки в наноразмерных тренчах. Теоретически исследована зависимость результирующей толщины и конформности пленки от параметров процесса атомно-слоевого осаждения.
Поступила в редакцию: 10.11.2017
Образец цитирования:
А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3$D$-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1573–1580; Tech. Phys., 63:10 (2018), 1525–1532
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5803 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i10/p1573
|
|