Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения

Изучены свойства защитных диэлектрических слоев оксида алюминия Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенных на уже изготовленные кремниевые нанопроволочные транзисторные биочипы методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PEALD) перед корпусированием, в зависимости от режимов нанесения и отжига. Покрытие естественного окисла кремния слоем Al$_{2}$O$_{3}$ нанометровой толщины незначительно уменьшает фемтомольную чувствительность биосенсоров, но обеспечивает их стабильность в биожидкостях. В деионизованной воде транзисторы с отожженным оксидом алюминия закрываются из-за захвата на поверхностные состояния отрицательного заряда величиной $<$ (1–10) $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$. Подача положительного потенциала на подложку ($V_{\mathrm{sub}}$ $>$ 25 В) позволяет устранять отрицательный заряд и проводить многократные измерения в жидкости по крайней мере в течение полугода.