|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 643–649
(Mi phts6466)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения
В. П. Поповa, М. А. Ильницкийa, Э. Д. Жанаевa, А. В. Мяконькихb, К. В. Руденкоb, А. В. Глуховc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Физико-технологический институт РАН, г. Москва
c Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток, г. Новосибирск
Аннотация:
Изучены свойства защитных диэлектрических слоев оксида алюминия Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенных на уже изготовленные кремниевые нанопроволочные транзисторные биочипы методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PEALD) перед корпусированием, в зависимости от режимов нанесения и отжига. Покрытие естественного окисла кремния слоем Al$_{2}$O$_{3}$ нанометровой толщины незначительно уменьшает фемтомольную чувствительность биосенсоров, но обеспечивает их стабильность в биожидкостях. В деионизованной воде транзисторы с отожженным оксидом алюминия закрываются из-за захвата на поверхностные состояния отрицательного заряда величиной $<$ (1–10) $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$. Подача положительного потенциала на подложку ($V_{\mathrm{sub}}$ $>$ 25 В) позволяет устранять отрицательный заряд и проводить многократные измерения в жидкости по крайней мере в течение полугода.
Поступила в редакцию: 12.08.2015 Принята в печать: 08.09.2015
Образец цитирования:
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Э. Д. Жанаев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, А. В. Глухов, “Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 643–649; Semiconductors, 50:5 (2016), 632–638
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6466 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p643
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 10 |
|