Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 8, страницы 1264–1272
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46319.2625 (Mi jtf5851) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физическая электроника

Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением

А. В. Фадеев, К. В. Руденко

Физико-технологический институт РАН, г. Москва
PDF полного текста (152 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46319.2625
Аннотация: Предложена теоретическая модель, предсказывающая профиль толщины пленки, выращиваемой на стенках высокоаспектного цилиндрического отверстия методом атомно-слоевого осаждения. Модель дает возможность рассчитать критическое время подачи прекурсора, необходимое для конформного покрытия стенок отверстия. Получена аналитическая формула, позволяющая оценить минимальное время подачи прекурсора в зависимости от параметров технологического процесса.
Поступила в редакцию: 28.12.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 8, Pages 1228–1235
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218080054
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1264–1272; Tech. Phys., 63:8 (2018), 1228–1235
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FadRud18}
\by А.~В.~Фадеев, К.~В.~Руденко
\paper Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 8
\pages 1264--1272
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5851}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.08.46319.2625}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269899}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 8
\pages 1228--1235
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218080054}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5851
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i8/p1264
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024