Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Ivanov, P A
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 21
Scientific articles: 21

Number of views:
This page:50
Abstract pages:875
Full texts:540

https://www.mathnet.ru/eng/person160600
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, “High-voltage 4$H$-SiC based avalanche diodes with a negative beve”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:4 (2021),  349–353  mathnet  elib; Semiconductors, 55:4 (2021), 405–409
2. P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, “TCAD simulation of high-voltage 4$H$-SiC diodes with an edge semi-insulating region”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:2 (2021),  201–206  mathnet  elib; Semiconductors, 55:2 (2021), 256–261 1
3. P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, Yu. M. Zadiranov, “High-voltage 4$H$-SiC Schottky diodes with field-plate edge termination”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:2 (2021),  188–194  mathnet  elib; Semiconductors, 55:2 (2021), 243–249 2
4. P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, “High-voltage avalanche 4$H$-SiC diodes with a protective semi-insulating area”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:6 (2021),  48–50  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 275–277 1
2020
5. P. A. Ivanov, A. S. Potapov, N. M. Lebedeva, I. V. Grekhov, “Avalanche breakdown in 4$H$-SiC Schottky diodes: reliability aspects”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:12 (2020),  2133–2138  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:12 (2020), 2041–2046 2
2018
6. P. A. Ivanov, A. S. Potapov, I. V. Grekhov, “Influence of dopant incomplete ionization on the capacitance of a reverse-biased 4H-SiC $p^{+}$–$i$–$n^{+}$ diode”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 88:6 (2018),  955–958  mathnet  elib; Tech. Phys., 63:6 (2018), 928–931 2
7. P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, “Avalanche breakdown stability of high voltage (1430 V) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$ diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1527–1531  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1630–1634 2
8. P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, “Effect of low-dose proton irradiation on the electrical characteristics of 4$H$-SiC junction diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1187–1190  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1307–1310 3
2016
9. P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Semi-insulating 4$H$-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into $n$-type epitaxial films”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:7 (2016),  937–940  mathnet  elib; Semiconductors, 50:7 (2016), 920–923 6
10. M. E. Levinshteĭn, P. A. Ivanov, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Isothermal current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction barrier Schottky rectifiers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  668–673  mathnet  elib; Semiconductors, 50:5 (2016), 656–661 1
1991
11. P. A. Ivanov, B. V. Tsarenkov, “SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  1913–1921  mathnet
12. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, V. E. Chelnokov, A. E. Cherenkov, “NORMALLY CLOSED SIC (6H) FIELD TRANSISTOR WITH R-P-LOCK”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:4 (1991),  1–5  mathnet
1989
13. M. M. Anikin, P. A. Ivanov, A. L. Sirkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH RECORD TRANSCONDUCTANCE FOR CARBIDE-SILICON TRANSISTORS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:16 (1989),  36–42  mathnet
1988
14. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, N. D. Il'inskaya, A. L. Sirkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, A. E. Cherenkov, “HIGH-TEMPERATURE SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH THE P-N LOCKS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:4 (1988),  289–293  mathnet
1987
15. P. A. Ivanov, V. Yu. Kachorovskii, Ya. V. Morozenko, A. V. Suvorov, “Temperature Dependence of Capacitance of Carbide-Silicon $p{-}n$ Junctions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1257–1260  mathnet
16. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, V. I. Levin, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, V. E. Chelnokov, “Formation of $Si\,C$ epitaxial R-P-structures of sublayers, obtained from volume $Si\,C$ crystals”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:19 (1987),  1168–1171  mathnet
1986
17. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, I. V. Popov, A. V. Strel'chuk, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Tension limitations obtained by carbide-silicon R-P-structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:13 (1986),  773–776  mathnet
1985
18. P. A. Ivanov, Ya. V. Morozenko, A. V. Suvorov, “Study of Deep Centers in $p{-}n$ Junctions Produced by Ion Doping of $6H$-SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1430–1433  mathnet
19. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, A. M. Strel'chuk, A. L. Sirkin, I. V. Popov, V. E. Chelnokov, “Tunnel-diode based on $Si\,C$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:16 (1985),  976–978  mathnet
20. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, Ya. V. Morozenko, I. V. Popov, V. E. Chelnokov, “Silicon-carbide light-emitting-diodes in the blueviolet spectrum area”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  246–248  mathnet
21. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, I. V. Korkin, Ya. V. Morozenko, I. V. Popov, T. A. Sidorova, A. M. Strel'chuk, V. E. Chelnokov, “Silicon-carbide R-P-structures produced by liquid epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  238–241  mathnet
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024