|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1995 |
| 1. |
В. Б. Сигачев, М. Е. Дорошенко, Т. Т. Басиев, Г. Б. Лутц, Б. Х. Чай, “Сенсибилизация люминесценции ионов Er<sup>3+</sup> и Ho<sup>3+</sup> ионами Cr<sup>4+</sup> в кристалле Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>”, Квантовая электроника, 22:1 (1995), 33–36  [V. B. Sigachev, M. E. Doroshenko, T. T. Basiev, G. B. Lutts, B. H. Chai, “Sensitisation of the luminescence of Er<sup>3+</sup> and Ho<sup>3+</sup> ions by Cr<sup>4+</sup> ions in a Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub> crystal”, Quantum Electron., 25:1 (1995), 27–30  ] |
4
|
|
1993 |
| 2. |
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Эффективная генерация лазерного излучения в области 1,4 мкм в кристалле Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Cr,Ce,Nd”, Квантовая электроника, 20:6 (1993), 569–573 [M. E. Doroshenko, V. V. Osiko, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Efficient lasing near 1.4 μm in a (Cr, Ce, Nd):Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub> crystal”, Quantum Electron., 23:6 (1993), 490–493 ] |
8
|
|
1992 |
| 3. |
М. Е. Дорошенко, М. А. Иванов, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Влияние ионов Се<sup>3+</sup> на спектроскопические и генерационные свойства кристаллов Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>, Ег<sup>3+</sup> и Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>, Ег<sup>3+</sup>”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 638–640 [M. E. Doroshenko, M. A. Ivanov, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Influence of Ce<sup>3+</sup> ions on the spectroscopic and lasing properties of Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>:Er<sup>3+</sup> and Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>:Er<sup>3+</sup> crystals”, Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 588–590 ] |
4
|
|
1991 |
| 4. |
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 799–802 [M. E. Doroshenko, V. V. Osiko, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Efficient neodymium-doped gadolinium gallium garnet crystal laser”, Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 724–727 ] |
3
|
| 5. |
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе <sup>4</sup>F<sub>3/2</sub>–<sup>4</sup>I<sub>13/2</sub> (λ = 1,33 мкм)”, Квантовая электроника, 18:3 (1991), 298–300 [M. E. Doroshenko, V. V. Osiko, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Stimulated emission from a neodymium-doped gadolinium gallium garnet crystal due to the <sup>4</sup>F<sub>3/2</sub>–<sup>4</sup>I<sub>13/2</sub> (λ = 1.33 μm) transition”, Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 266–268 ] |
2
|
| 6. |
В. В. Осико, В. Б. Сигачев, В. И. Стрелов, М. И. Тимошечкин, “Лазер на кристалле эрбий-гадолиний-галлиевого граната”, Квантовая электроника, 18:2 (1991), 179–181 [V. V. Osiko, V. B. Sigachev, V. I. Strelov, M. I. Timoshechkin, “Erbium gadolinium gallium garnet crystal laser”, Sov J Quantum Electron, 21:2 (1991), 159–160 ] |
2
|
|
Обратная связь: