|
Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 3, страницы 298–300
(Mi qe3777)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Твердотельные и полупроводниковые лазеры
Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе 4F3/2–4I13/2 (λ = 1,33 мкм)
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Сообщается о создании лазера на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом (ГГГ: Nd), работающего
на переходе 4F3/2–4I13/2 (длина волны генерации λ = 1330 нм). Для лазера на кристалле ГГГ: Nd диаметром 8 и длиной 80 мм в режиме свободной многомодовой генерации при использовании выходного зеркала с коэффициентом отражения R = 81 % порог генерации составил 5 Дж, дифференциальный КПД 1,54 %, при энергии импульса накачки Eн = 34,2 Дж получен импульс излучения с энергией Eг = 417 мДж. При частоте следования импульсов накачки 50 Гц с энергией 64 Дж средняя мощность свободной генерации составляла ~40 Вт. На основе экспериментальных зависимостей Eг (Eн, R) оценены коэффициент потерь κ, эффективное сечение генерационного перехода σ и предельный дифференциальный КПД η;0. Получены следующие значения перечисленных параметров: κ ≈ 0,09, σ = (1,1 ± 0,2) X 10–19 см2 и η0 = 2,2%.
Поступила в редакцию: 19.10.1990
Образец цитирования:
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе 4F3/2–4I13/2 (λ = 1,33 мкм)”, Квантовая электроника, 18:3 (1991), 298–300 [Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 266–268]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3777 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v18/i3/p298
|
|