Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 3, страницы 298–300 (Mi qe3777)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Твердотельные и полупроводниковые лазеры

Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе 4F3/24I13/2 (λ = 1,33 мкм)

М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Сообщается о создании лазера на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом (ГГГ: Nd), работающего на переходе 4F3/24I13/2 (длина волны генерации λ = 1330 нм). Для лазера на кристалле ГГГ: Nd диаметром 8 и длиной 80 мм в режиме свободной многомодовой генерации при использовании выходного зеркала с коэффициентом отражения R = 81 % порог генерации составил 5 Дж, дифференциальный КПД 1,54 %, при энергии импульса накачки Eн = 34,2 Дж получен импульс излучения с энергией Eг = 417 мДж. При частоте следования импульсов накачки 50 Гц с энергией 64 Дж средняя мощность свободной генерации составляла ~40 Вт. На основе экспериментальных зависимостей Eг (Eн, R) оценены коэффициент потерь κ, эффективное сечение генерационного перехода σ и предельный дифференциальный КПД η;0. Получены следующие значения перечисленных параметров: κ ≈ 0,09, σ = (1,1 ± 0,2) X 10–19 см2 и η0 = 2,2%.
Поступила в редакцию: 19.10.1990
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, Volume 21, Issue 3, Pages 266–268
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1991v021n03ABEH003777
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе 4F3/24I13/2 (λ = 1,33 мкм)”, Квантовая электроника, 18:3 (1991), 298–300 [Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 266–268]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3777
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v18/i3/p298
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024