|
Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 6, страницы 569–573
(Mi qe3103)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Лазеры
Эффективная генерация лазерного излучения в области 1,4 мкм в кристалле Gd3Ga5O12:Cr,Ce,Nd
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин Институт общей физики АН РФ, г. Москва
Аннотация:
Выполнено сравнение спектроскопических и генерационных свойств кристаллов Gd3Ga5O12:Cr, Nd
(ГГГ: Cr, Nd) и ИАГ: Nd в области 1,3 – 1,45 мкм. Найдены сечения индуцированных переходов ионов Nd3+ в указанной области спектра. Впервые в кристалле ГГГ: Cr,Nd получена лазерная генерация излучения на длине волны 1,4237 мкм. Для лазера на основе кристалла ГГГ : Cr,Ce,Nd при ламповой накачке в режиме свободной генерации на этой длине волны получена энергия импульса излучения 2,3 Дж с абсолютным
КПД 1,2%. При частоте следования импульсов 13 Гц достигнута средняя выходная мощность
лазера 21,6 Вт. Обсуждаются преимущества кристаллов ГГГ: Cr,Nd для генерации излучения в области
1,4 мкм по сравнению с кристаллами ИАГ: Nd.
Поступила в редакцию: 19.01.1993
Образец цитирования:
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Эффективная генерация лазерного излучения в области 1,4 мкм в кристалле Gd3Ga5O12:Cr,Ce,Nd”, Квантовая электроника, 20:6 (1993), 569–573 [Quantum Electron., 23:6 (1993), 490–493]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3103 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i6/p569
|
|