|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. А. Карпушин, А. Н. Сорокин, В. А. Гриценко, “Кремний-кремниевая Si–Si-связь как глубокая ловушка для электронов и дырок в нитриде кремния”, Письма в ЖЭТФ, 103:3 (2016), 189–193   ; A. A. Karpusin, A. N. Sorokin, V. A. Gritsenko, “Si-Si bond as a deep trap for electrons and holes in silicon nitride”, JETP Letters, 103:3 (2016), 171–174   |
7
|
|
2014 |
| 2. |
А. А. Карпушин, А. Н. Сорокин, “Сдвиг порога фотоэмиссии в полупроводниках
A$_{3}$B$_{5}$ и A$_{2}$B$_{6}$”, Письма в ЖЭТФ, 99:6 (2014), 378–381 ; A. A. Karpusin, A. N. Sorokin, “Shift of the photoemission threshold in III–V and II–VI semiconductors”, JETP Letters, 99:6 (2014), 329–332 |
|
2013 |
| 3. |
А. Н. Сорокин, А. А. Карпушин, В. А. Гриценко, “Электронная структура SiN$_{x}$”, Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013), 801–805 ; A. N. Sorokin, A. A. Karpusin, V. A. Gritsenko, “Electronic structure of SiN$_x$”, JETP Letters, 98:11 (2013), 709–712 |
6
|
|
1984 |
| 4. |
Г. В. Гадияк, А. А. Карпушин, И. В. Короленко, Ю. Н. Мороков, А. Н. Сорокин, М. Томашек, “Адсорбция водорода на
Si (111). Сравнение метода обобщенных решеток Бете и метода рекурсий”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1025–1028 |
|
Обратная связь: