Электронная структура SiN$_{x}$

В приближении сильной связи без использования подгоночных параметров рассчитана электронная структура обогащенного кремнием аморфного нитрида кремния SiN$_{x}$ в зависимости от его химического состава. В расчетах использован предложенный авторами новый способ параметризации матричных элементов гамильтониана сильной связи, учитывающий изменение области локализации валентных электронов изолированного атома при его встраивании в твердое тело. Показано, что учет этих изменений позволяет рассчитывать электронную структуру, используя в качестве исходных данных параметры изолированных атомов. Последнее обстоятельство дает возможность вести расчет в абсолютной шкале энергий с нулем, соответствующим энергии электрона в вакууме.