Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2013, том 98, выпуск 11, страницы 801–805
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13230136 (Mi jetpl3595) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электронная структура SiN$_{x}$

А. Н. Сорокин, А. А. Карпушин, В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (214 kB) Список цитирования (6)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13230136
Аннотация: В приближении сильной связи без использования подгоночных параметров рассчитана электронная структура обогащенного кремнием аморфного нитрида кремния SiN$_{x}$ в зависимости от его химического состава. В расчетах использован предложенный авторами новый способ параметризации матричных элементов гамильтониана сильной связи, учитывающий изменение области локализации валентных электронов изолированного атома при его встраивании в твердое тело. Показано, что учет этих изменений позволяет рассчитывать электронную структуру, используя в качестве исходных данных параметры изолированных атомов. Последнее обстоятельство дает возможность вести расчет в абсолютной шкале энергий с нулем, соответствующим энергии электрона в вакууме.
Поступила в редакцию: 28.10.2013
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2013, Volume 98, Issue 11, Pages 709–712
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364013240193
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Сорокин, А. А. Карпушин, В. А. Гриценко, “Электронная структура SiN$_{x}$”, Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013), 801–805; JETP Letters, 98:11 (2013), 709–712
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SorKarGri13}
\by А.~Н.~Сорокин, А.~А.~Карпушин, В.~А.~Гриценко
\paper Электронная структура SiN$_{x}$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2013
\vol 98
\issue 11
\pages 801--805
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3595}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X13230136}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21197167}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2013
\vol 98
\issue 11
\pages 709--712
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364013240193}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000331717700013}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24051826}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84901941757}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3595
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v98/i11/p801
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:193
    PDF полного текста:66
    Список литературы:34
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024