|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. Б. Смирницкий, Н. Н. Фалеев, “Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной
гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 60:3 (1990), 123–128 |
2. |
А. И. Гуриев, А. Г. Дерягин, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Особенности заращивания профилированной поверхности волновода
в InGaAsP/InP лазерах с РОС”, Письма в ЖТФ, 16:8 (1990), 5–9 |
|
1988 |
3. |
К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Особенности генерации в
InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 267–273 |
4. |
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, В. И. Кучинский, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2196–2198 [V. I. Baryshev, E. G. Golikova, V. P. Duraev, V. I. Kuchinskii, K. Yu. Kizhaev, D. V. Kuksenkov, E. L. Portnoǐ, V. B. Smirnitskiǐ, “Continuous-wave distributed-feedback InGaAsP (λ = 1.55 μm) injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1376–1378 ] |
2
|
|
1987 |
5. |
К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью”, Письма в ЖТФ, 13:10 (1987), 601–604 |
6. |
Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 535–537 |
7. |
Ж. И. Алфёров, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной
температуре”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 513–517 |
8. |
К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем,
полученных жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 141–146 |
9. |
К. Ю. Кижаев, С. Г. Конников, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 132–136 |
|
1986 |
10. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования
в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины
квантово-размерного активного слоя”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1222–1226 |
11. |
Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. П. Улин, “Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986), 335–341 |
12. |
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов, “Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм
($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 210–215 |
2
|
13. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 205–210 |
|
1985 |
14. |
Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, К. Ю. Кижаев, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, “Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 961–968 |
|