|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
З. Д. Квон, М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, Е. Б. Ольшанецкий, А. С. Ярошевич, Н. Н. Михайлов, “Фото- и термоэлектрические явления в двумерных топологических изоляторах и полуметаллах на основе HgTe квантовых ям (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 112:3 (2020), 174–186   ; Z. D. Kvon, M. L. Savchenko, D. A. Kozlov, E. B. Olshanetsky, A. S. Yaroshevich, N. N. Mikhailov, “Photo- and thermoelectric phenomena in two-dimensional topological insulators and semimetals based on HgTe quantum wells (scientific summary)”, JETP Letters, 112:3 (2020), 161–172   |
5
|
|
2018 |
| 2. |
М. Л. Савченко, Н. Н. Васильев, А. С. Ярошевич, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Спектры пропускания квантовых ям и пленок на основе HgTe в дальнем ИК-диапазоне”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 774–778 ; M. L. Savchenko, N. N. Vasil'ev, A. S. Yaroshevich, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Transmission spectra of HgTe-based quantum wells and films in the far-infrared range”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 778–782 |
1
|
| 3. |
М. Л. Савченко, З. Д. Квон, С. Кандуссио, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Д. Ганичев, “Терагерцовая циклотронная фотопроводимость в сильно разбалансированной двумерной электронно-дырочной системе”, Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018), 253–258 ; M. L. Savchenko, Z. D. Kvon, S. Candussio, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. D. Ganichev, “Terahertz cyclotron photoconductivity in a highly unbalanced two-dimensional electron-hole system”, JETP Letters, 108:4 (2018), 247–252 |
8
|
|
2017 |
| 4. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, А. С. Ярошевич, М. Л. Савченко, В. С. Эпов, Е. В. Федосенко, “Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1574–1578 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, A. S. Yaroshevich, M. L. Savchenko, V. S. Epov, E. V. Fedosenko, “Long-wavelength sensitivity limit in MBE-grown PbSnTe:In films: Correlation with the film structure and composition”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1522–1526 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
Д. А. Козлов, М. Л. Савченко, Й. Зиглер, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Д. Вайс, “Емкостная спектроскопия системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 865–870 ; D. A. Kozlov, M. L. Savchenko, J. Ziegler, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, D. Weiss, “Capacitance spectroscopy of a system of gapless Dirac fermions in a HgTe quantum well”, JETP Letters, 104:12 (2016), 859–863 |
12
|
| 6. |
М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016), 311–317 ; M. L. Savchenko, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Weak antilocalization in a three-dimensional topological insulator based on a high-mobility HgTe film”, JETP Letters, 104:5 (2016), 302–308 |
8
|
|
2013 |
| 7. |
А. Г. Журавлев, М. Л. Савченко, А. Г. Паулиш, В. Л. Альперович, “Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия”, Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013), 513–517 ; A. G. Zhuravlev, M. L. Savchenko, A. G. Paulish, V. L. Alperovich, “Photoemission from $p$-GaAs(001) with nonequilibrium cesium overlayer”, JETP Letters, 98:8 (2013), 455–459 |
10
|
|
Обратная связь: