|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe
М. Л. Савченкоab, Д. А. Козловab, З. Д. Квонab, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. Ржанова, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Экспериментально изучено аномальное магнитосопротивление (АМС), вызванное эффектами слабой антилокализации в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки теллурида ртути. Показано, что полученные результаты хорошо описываются универсальной теорией Zduniak et al. Обнаружено, что в области объемной щели величина АМС значительно меньше ожидаемой для системы дираковских фермионов. Предположено, что подобный факт может быть связан с наличием ненулевой эффективной массы дираковских фермионов. При заполнении объемных зон наблюдается существенный рост АМС, что свидетельствует о слабом взаимодействии поверхностных и объемных носителей заряда.
Поступила в редакцию: 13.07.2016
Образец цитирования:
М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016), 311–317; JETP Letters, 104:5 (2016), 302–308
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5052 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i5/p311
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 177 | PDF полного текста: | 45 | Список литературы: | 34 | Первая страница: | 15 |
|