Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 5, страницы 311–317
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16170045 (Mi jetpl5052) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe

М. Л. Савченкоab, Д. А. Козловab, З. Д. Квонab, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. Ржанова, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (1277 kB) Список цитирования (7)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16170045
Аннотация: Экспериментально изучено аномальное магнитосопротивление (АМС), вызванное эффектами слабой антилокализации в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки теллурида ртути. Показано, что полученные результаты хорошо описываются универсальной теорией Zduniak et al. Обнаружено, что в области объемной щели величина АМС значительно меньше ожидаемой для системы дираковских фермионов. Предположено, что подобный факт может быть связан с наличием ненулевой эффективной массы дираковских фермионов. При заполнении объемных зон наблюдается существенный рост АМС, что свидетельствует о слабом взаимодействии поверхностных и объемных носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-52-16008_НЦНИЛ_а
15-32-20828_мол_а_вед
Работа выполнена при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (гранты # 15-52-16008, 15-32-20828).
Поступила в редакцию: 13.07.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 5, Pages 302–308
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016170112
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016), 311–317; JETP Letters, 104:5 (2016), 302–308
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SavKozKvo16}
\by М.~Л.~Савченко, Д.~А.~Козлов, З.~Д.~Квон, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий
\paper Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 311--317
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5052}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16170045}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=26625542}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 302--308
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016170112}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000388292500004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84994910756}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5052
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i5/p311
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:177
    PDF полного текста:45
    Список литературы:34
    Первая страница:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024