|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2008 |
1. |
Д. Р. Мифтахутдинов, И. В. Акимова, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Поповичев, А. П. Некрасов, “Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки”, Квантовая электроника, 38:11 (2008), 993–1000 [D. R. Miftakhutdinov, I. V. Akimova, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, V. V. Popovichev, A. P. Nekrasov, “Radiation parameters of ridge lasers at high pump currents”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 993–1000 ] |
10
|
2. |
А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев, “Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 935–939 [A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, A. P. Nekrasov, V. V. Popovichev, “Optimisation of waveguide parameters of laser InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures for obtaining the maximum beam width in the resonator and the maximum output power”, Quantum Electron., 38:10 (2008), 935–939 ] |
18
|
|
2005 |
3. |
С. А. Плисюк, И. В. Акимова, А. Е. Дракин, А. В. Бородаенко, А. А. Стратонников, В. В. Поповичев, А. П. Богатов, “Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора”, Квантовая электроника, 35:6 (2005), 515–519 [S. A. Plisyuk, I. V. Akimova, A. E. Drakin, A. V. Borodaenko, A. A. Stratonnikov, V. V. Popovichev, A. P. Bogatov, “Quality of the optical beam of a high-power, single-mode, 0.81-μm ridge AlGaAs heterolaser”, Quantum Electron., 35:6 (2005), 515–519 ] |
1
|
|
2002 |
4. |
В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, “Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода”, Квантовая электроника, 32:12 (2002), 1099–1104 [V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104 ] |
21
|
|
1992 |
5. |
Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024–1031 [E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, M. B. Uspenskiy, S. E. Khlopotin, V. A. Shishkin, “Directional pattern and other output properties of a quantum-well injection laser for the 780-nm spectral region”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960 ] |
4
|
|
1988 |
6. |
Н. Н. Евтихиев, А. В. Лукашин, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, “Высокочастотная аналоговая модуляция полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 15:10 (1988), 2012–2015 [N. N. Evtikhiev, A. V. Lukashin, G. T. Pak, V. V. Popovichev, “High-frequency analog modulation of a semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 18:10 (1988), 1261–1263 ] |
|
1987 |
7. |
П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. М. Сапожников, “Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 892–894 [P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, S. M. Sapozhnikov, “Investigation of the service life of cw GaAIAs/GaAs injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 566–568 ] |
|
1980 |
8. |
П. Г. Елисеев, М. Ш. Кобякова, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. Н. Соколов, “Инжекционный гетеролазер мезаполосковой конструкции с теплоотводом через подложку”, Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2504–2506 [P. G. Eliseev, M. Sh. Kobyakova, G. T. Pak, V. V. Popovichev, S. N. Sokolov, “Mesastripe injection heterolaser with heat removal through the substrate”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1464–1465 ] |
|