|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2009 |
| 1. |
П. Г. Елисеев, А. Уханов, А. Штинц, К. Д. Маллой, “Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект”, Квантовая электроника, 39:6 (2009), 501–504   [P. G. Eliseev, A. Ukhanov, A. Shtints, K. J. Malloy, “Electrical properties of InAs/InGaAs quantum-dot laser heterostructures: A threshold effect”, Quantum Electron., 39:6 (2009), 501–504   ] |
2
|
|
2000 |
| 2. |
П. Г. Елисеев, Х. Ли, Г. Т. Лиу, А. Штинц, Т. С. Ньювел, Л. Ф. Лестер, К. Д. Меллой, “Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель”, Квантовая электроника, 30:8 (2000), 664–668 [P. G. Eliseev, H. Li, G. T. Liu, A. Shtints, T. C. Newell, L. E. Lester, K. J. Malloy, “Optical gain in InAs/InGaAs quantum-dot structures: Experiments and theoretical model”, Quantum Electron., 30:8 (2000), 664–668 ] |
10
|
|
Обратная связь: