|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
1. |
А. В. Булгаков, А. Б. Евтушенко, Ю. Г. Шухов, И. Озеров, В. Марин, “Импульсная лазерная абляция бинарных полупроводников: механизмы испарения и генерация кластеров”, Квантовая электроника, 40:11 (2010), 1021–1033 [A. V. Bulgakov, A. B. Evtushenko, Yu. G. Shukhov, I. Ozerov, W. Marin, “Pulsed laser ablation of binary semiconductors: mechanisms of vaporisation and cluster formation”, Quantum Electron., 40:11 (2010), 1021–1033 ] |
31
|
|
2000 |
2. |
М. Л. Сентис, Ф. Делапорт, В. Марин, О. Утеза, “Удаление оксидных пленок излучением XeCl-лазера для дезактивации поверхностей”, Квантовая электроника, 30:6 (2000), 495–500 [M. L. Sentis, Ph. Delaporte, W. Marin, O. Uteza, “Surface oxide removal by a XeCl laser for decontamination”, Quantum Electron., 30:6 (2000), 495–500 ] |
20
|
|
1998 |
3. |
А. В. Кабашин, П. И. Никитин, В. Марине, М. Л. Сентис, “Электрические поля лазерной плазмы при оптическом пробое воздуха вблизи различных мишеней”, Квантовая электроника, 25:1 (1998), 26–30 [A. V. Kabashin, P. I. Nikitin, W. Marine, M. L. Sentis, “Electric fields of a laser plasma formed by optical breakdown of air near various targets”, Quantum Electron., 28:1 (1998), 24–28 ] |
10
|
|
|
|
2011 |
4. |
А. В. Булгаков, А. Б. Евтушенко, Ю. Г. Шухов, И. Озеров, В. Марин, “Поправка к статье: Импульсная лазерная абляция бинарных полупроводников: механизмы испарения и генерация кластеров”, Квантовая электроника, 41:4 (2011), 392 |
|