Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Марин В

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 4
Научных статей: 3

Статистика просмотров:
Эта страница:87
Страницы публикаций:941
Полные тексты:591
Списки литературы:100

https://www.mathnet.ru/rus/person85142
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2010
1. А. В. Булгаков, А. Б. Евтушенко, Ю. Г. Шухов, И. Озеров, В. Марин, “Импульсная лазерная абляция бинарных полупроводников: механизмы испарения и генерация кластеров”, Квантовая электроника, 40:11 (2010),  1021–1033  mathnet  elib [A. V. Bulgakov, A. B. Evtushenko, Yu. G. Shukhov, I. Ozerov, W. Marin, “Pulsed laser ablation of binary semiconductors: mechanisms of vaporisation and cluster formation”, Quantum Electron., 40:11 (2010), 1021–1033  isi  scopus] 31
2000
2. М. Л. Сентис, Ф. Делапорт, В. Марин, О. Утеза, “Удаление оксидных пленок излучением XeCl-лазера для дезактивации поверхностей”, Квантовая электроника, 30:6 (2000),  495–500  mathnet [M. L. Sentis, Ph. Delaporte, W. Marin, O. Uteza, “Surface oxide removal by a XeCl laser for decontamination”, Quantum Electron., 30:6 (2000), 495–500  isi] 20
1998
3. А. В. Кабашин, П. И. Никитин, В. Марине, М. Л. Сентис, “Электрические поля лазерной плазмы при оптическом пробое воздуха вблизи различных мишеней”, Квантовая электроника, 25:1 (1998),  26–30  mathnet [A. V. Kabashin, P. I. Nikitin, W. Marine, M. L. Sentis, “Electric fields of a laser plasma formed by optical breakdown of air near various targets”, Quantum Electron., 28:1 (1998), 24–28  isi] 10

2011
4. А. В. Булгаков, А. Б. Евтушенко, Ю. Г. Шухов, И. Озеров, В. Марин, “Поправка к статье: Импульсная лазерная абляция бинарных полупроводников: механизмы испарения и генерация кластеров”, Квантовая электроника, 41:4 (2011),  392  mathnet  elib

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024