|
Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 6, страницы 495–500
(Mi qe1750)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)
IV Международная конференция по импульсным лазерам на переходах атомов и молекул (AMP'99)
Удаление оксидных пленок излучением XeCl-лазера для дезактивации поверхностей
М. Л. Сентис, Ф. Делапорт, В. Марин, О. Утеза Laser ablation and application laboratory, Aix-Marseille II Université, Marseille, France
Аннотация:
Для очистки больших поверхностей с помощью автоматизированного устройства на базе эксимерного XeCl-лазера использована лазерная абляция. Основное внимание уделено очистке металлических окисленных поверхностей, являющихся типичными представителями поверхностей, загрязненных радионуклидами в процессе эксплуатации ядерных электростанций. Устройство состоит из XeCl-лазера, системы доставки излучения к поверхности, коллектора частиц загрязнения и системы контроля очистки в реальном масштабе времени. Рассмотрено взаимодействие излучения с поверхностью, в частности повреждение чистой поверхности очищающим излучением. Система доставки излучения к поверхности состоит из пучка волоконных световодов длиной 5 м и обеспечивает доставку лазерного излучения мощностью 150 Вт на длине волны 308 нм. Очистка контролируется регистрацией эволюции электрического поля плазмы в реальном масштабе времени. Система обеспечивает очистку поверхности со скоростью от 2 до 6 м2/ч при весьма незначительном изменении очищаемой поверхности.
Поступила в редакцию: 20.12.1999
Образец цитирования:
М. Л. Сентис, Ф. Делапорт, В. Марин, О. Утеза, “Удаление оксидных пленок излучением XeCl-лазера для дезактивации поверхностей”, Квантовая электроника, 30:6 (2000), 495–500 [Quantum Electron., 30:6 (2000), 495–500]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1750 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i6/p495
|
|