|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Е. С. Колодезный, А. С. Курочкин, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, А. В. Савельев, А. Ю. Егоров, Д. В. Денисов, “Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1034–1037   ; E. S. Kolodeznyi, A. S. Kurochkin, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, A. V. Savel'ev, A. Yu. Egorov, D. V. Denisov, “On the impact of barrier-layer doping on the photoluminescence efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP strained-layer heterostructures”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1156–1159 |
4
|
|
2016 |
| 2. |
И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. С. Курочкин, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, Ю. М. Шерняков, А. В. Савельев, И. А. Няпшаев, А. Ю. Егоров, “Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1429–1433 ; I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, A. S. Kurochkin, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, Yu. M. Shernyakov, A. V. Savel'ev, I. A. Nyapshaev, A. Yu. Egorov, “On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1412–1415 |
9
|
|
2013 |
| 3. |
Н. А. Богословский, Ю. А. Климов, А. В. Савельев, Д. К. Шалыга, “Разработка экспериментального комплекса суперкомпьютерного моделирования на основе кода на языке Matlab”, Программные системы: теория и приложения, 4:2 (2013), 21–42 |
|
Обратная связь: