Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP

Исследована фотолюминесценция образцов напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP(100), с активной областью состоящей из 9 квантовых ям In$_{0.74}$Ga$_{0.26}$As и $\delta$-легированных барьеров In$_{0.53}$Al$_{0.20}$Ga$_{0.27}$As. Исследование спектров фотолюминесценции показало, что легирование примесью $p$-типа приводит к росту эффективности фотолюминесценции при малых уровнях возбуждения по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерами, а легирование барьеров до уровня (1–2) $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации.