Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Ефимова Александра Ивановна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 4
Научных статей: 4

Статистика просмотров:
Эта страница:200
Страницы публикаций:333
Полные тексты:193
доцент
кандидат физико-математических наук (1988)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Ефимова, Александра Ивановна. Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников $А_3 В_5$ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гос. ком. СССР по нар. образованию. МГУ им. М. В. Ломоносова. - Москва, 1988. - 153 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person76060
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=846623
ИСТИНА https://istina.msu.ru/workers/1350001
https://orcid.org/0000-0002-3575-4481
https://www.webofscience.com/wos/author/record/X-6694-2019
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7006127983

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. В. С. Хоркин, В. Б. Волошинов, А. И. Ефимова, Л. А. Кулакова, “Акустооптические свойства сплавов на основе германия, селена, кремния и теллура”, Оптика и спектроскопия, 128:2 (2020),  250–255  mathnet  elib; V. S. Khorkin, V. B. Voloshinov, A. I. Efimova, L. A. Kulakova, “Acousto-optic properties of alloys based on germanium, selenium, silicium and tellurium”, Optics and Spectroscopy, 128:2 (2020), 244–249 8
2019
2. Е. А. Липкова, А. И. Ефимова, К. А. Гончар, Д. Е. Преснов, А. А. Елисеев, А. Н. Лапшин, В. Ю. Тимошенко, “Определение концентрации свободных носителей заряда в легированных бором кремниевых нанонитях при помощи инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1557–1561  mathnet  elib; E. A. Lipkova, A. I. Efimova, K. A. Gonchar, D. E. Presnov, A. A. Eliseev, A. N. Lapshin, V. Yu. Timoshenko, “Determination of free charge carrier concentration in arrays of boron doped silicon nanowires using attenuated total reflection infrared spectroscopy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1524–1528 2
2017
3. К. С. Секербаев, Е. Т. Таурбаев, А. И. Ефимова, В. Ю. Тимошенко, Т. И. Таурбаев, “Влияние свободных носителей заряда на двулучепреломление и дихроизм в слоях анизотропного пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1091–1095  mathnet  elib; K. S. Sekerbaev, E. T. Taurbaev, A. I. Efimova, V. Yu. Timoshenko, T. I. Taurbaev, “Effect of free charge carriers on birefringence and dichroism in anisotropic porous silicon layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1047–1051 4
1998
4. П. К. Кашкаров, Б. В. Каменев, Е. А. Константинова, А. И. Ефимова, А. В. Павликов, В. Ю. Тимошенко, “Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях”, УФН, 168:5 (1998),  577–582  mathnet; P. K. Kashkarov, B. V. Kamenev, E. A. Konstantinova, A. I. Efimova, A. V. Pavlikov, V. Yu. Timoshenko, “Dynamics of nonequilibrium charge carriers in silicon quantum wires”, Phys. Usp., 41:5 (1998), 511–515  isi 21

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024