Определение концентрации свободных носителей заряда в легированных бором кремниевых нанонитях при помощи инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения

Методом инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения определена концентрация свободных носителей заряда в массивах кремниевых нанонитей с характерными поперечными размерами 50–100 нм и длиной $\sim$10 мкм, сформированных на низколегированных подложках кристаллического кремния $p$-типа проводимости методом металл-стимулированного химического травления и подвергнутых дополнительному термодиффузионному легированию бором при температурах 850–1000$^\circ$С. Установлено, что в зависимости от температуры отжига концентрация свободных дырок в массивах варьируется от 5 $\cdot$ 10$^{18}$ до 3 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$ и максимальна при температурах 900–950$^\circ$C. Полученные результаты могут быть использованы для расширения области применения кремниевых нанонитей в фотонике, сенсорике и термоэлектрических преобразователях энергии.