Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1091–1095
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44796.8119 (Mi phts6076) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние свободных носителей заряда на двулучепреломление и дихроизм в слоях анизотропного пористого кремния

К. С. Секербаевab, Е. Т. Таурбаевab, А. И. Ефимоваc, В. Ю. Тимошенкоcd, Т. И. Таурбаевab

a НИИ экспериментальной и теоретической физики, Казахский национальный университет им. аль-Фараби, г. Алматы
b Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казну им. аль-Фараби
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
PDF полного текста (385 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44796.8119
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы оптические свойства анизотропных пленок мезопористого кремния, содержащих свободные носители заряда (дырки), в инфракрасной области спектра. Результаты моделирования оптических свойств полученных образцов в рамках приближения эффективной среды демонстрируют сильную зависимость двулучепреломления, анизотропии отражения и дихроизма от концентрации свободных носителей заряда. Вкладом носителей заряда с концентрацией порядка 10$^{19}$ см$^{-3}$ объясняются немонотонные зависимости спектров разностного пропускания образцов, измеренные при взаимно перпендикулярных направлениях поляризации света. Полученные результаты свидетельствуют о перспективности анизотропных кремниевых наноструктур для инфракрасной фотоники и терагерцовой техники.
Поступила в редакцию: 13.12.2016
Принята в печать: 25.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1047–1051
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080279
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. С. Секербаев, Е. Т. Таурбаев, А. И. Ефимова, В. Ю. Тимошенко, Т. И. Таурбаев, “Влияние свободных носителей заряда на двулучепреломление и дихроизм в слоях анизотропного пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1091–1095; Semiconductors, 51:8 (2017), 1047–1051
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SekTauEfi17}
\by К.~С.~Секербаев, Е.~Т.~Таурбаев, А.~И.~Ефимова, В.~Ю.~Тимошенко, Т.~И.~Таурбаев
\paper Влияние свободных носителей заряда на двулучепреломление и дихроизм в слоях анизотропного пористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1091--1095
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6076}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44796.8119}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938289}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1047--1051
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080279}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6076
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1091
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025