|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. К. Бакаров, А. А. Быков, А. А. Дмитриев, Ю. М. Гальперин, “Нелинейные AC и DC проводимости в двухподзонной структуре $n$-GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 112:1 (2020), 54–61   ; I. L. Drichko, I. Yu. Smirnov, A. K. Bakarov, A. A. Bykov, A. A. Dmitriev, Yu. M. Galperin, “Nonlinear AC and DC conductivities in a two-subband $n$-GaAs/AlAs heterostructure”, JETP Letters, 112:1 (2020), 45–52   |
3
|
|
2019 |
| 2. |
А. А. Дмитриев, И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. К. Бакаров, А. А. Быков, “AC и DC проводимость в структуре $n$-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 110:1 (2019), 62–67 ; A. A. Dmitriev, I. L. Drichko, I. Yu. Smirnov, A. K. Bakarov, A. A. Bykov, “AC and DC conductivities in an $n$-GaAs/AlAs heterostructure with a wide quantum well in the integer quantum Hall effect regime”, JETP Letters, 110:1 (2019), 68–73 |
2
|
|
2007 |
| 3. |
И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. В. Суслов, Ю. М. Гальперин, В. М. Винокур, М. Миронов, О. А. Миронов, “Стационарный и высокочастотный дырочный транспорт в гетероструктурах $p$-Si/SiGe в ультраквантовом пределе”, Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007), 274–278 ; I. L. Drichko, I. Yu. Smirnov, A. V. Suslov, Yu. M. Гальперин, V. M. Vinokur, M. Mironov, O. A. Mironov, “Static and high-frequency hole transport in $p$-Si/SiGe heterostructures in the extreme quantum limit”, JETP Letters, 86:4 (2007), 244–248 |
3
|
|
1992 |
| 4. |
Б. А. Аронзон, И. Л. Дричко, “Переход металл$-$диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном
антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1446–1461 |
|
1990 |
| 5. |
Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Д. В. Шамшур, “Поглощение ультразвука в слаболегированном компенсированном $n$-InSb при сверхнизких температурах”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2579–2585 |
| 6. |
Ю. М. Гальперин, Е. М. Гершензон, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская, “Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких
температурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 3–24 |
|
1988 |
| 7. |
Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская, “Индуцированный магнитным полем переход металл–диэлектрик в легированном сильнокомпенсированном $n$-InSb”, Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3118–3125 |
|
1987 |
| 8. |
И. Л. Дричко, А. В. Суслов, “Поглощение ультразвуковых волн в компенсированном $n$-InSb”, Физика твердого тела, 29:8 (1987), 2374–2379 |
| 9. |
Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская, “Определение концентрации свободных электронов в компенсированном
$n$-InSb по поглощению ультразвука”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 124–128 |
|
1986 |
| 10. |
Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская, “Влияние примесного пробоя на поглощение ультразвука в компенсированном $n$-InSb”, Физика твердого тела, 28:11 (1986), 3374–3379 |
| 11. |
Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская, “Прыжковый механизм электронного поглощения звука в сильно компенсированном $n$-InSb”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 701–707 |
|
1985 |
| 12. |
И. Л. Дричко, “Нелинейное поглощение ультразвука в сильно компенсированном $n$-InSb”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 499–503 |
|
1984 |
| 13. |
В. С. Векшина, И. Л. Дричко, Н. И. Пепик, “Поглощение ультразвука в компенсированном $n$-InSb при низких температурах”, Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2048–2052 |
|
1969 |
| 14. |
Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Ю. В. Илисавский, В. А. Кудинова, “О возможности получения и использования эффекта усиления ультразвука полупроводниками в магнитном поле”, УФН, 98:4 (1969), 738–739 ; Yu. M. Gal'perin, I. L. Drichko, Yu. V. Ilisavskii, V. A. Kudinova, “Possibility of Obtaining and Using the Effect of Amplification of Ultrasound by a Semiconductor in a Magnetic Field”, Phys. Usp., 12:4 (1970), 585 |
|
Обратная связь: