|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 86, выпуск 4, страницы 274–278
(Mi jetpl830)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Стационарный и высокочастотный дырочный транспорт в гетероструктурах $p$-Si/SiGe в ультраквантовом пределе
И. Л. Дричкоa, И. Ю. Смирновa, А. В. Сусловb, Ю. М. Гальперинacd, В. М. Винокурc, М. Мироновe, О. А. Мироновfg a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b National High Magnetic Field Laboratory, Florida State University
c Argonne National Laboratory
d Department of Physics and Center for Advanced Materials & Nanotechnology, University of Oslo
e Musashi Institute of Technology
f University of Warwick Science Park, Venture Centre
g International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures
Аннотация:
Комплексная высокочастотная (ВЧ), $\sigma^{\text{AC}}=\sigma_1-i\sigma_2$, и статическая $\sigma^{\text{DC}}$ проводимости, а также вольт-амперные характеристики (ВАХ) измерены в гетероструктурах $p$-Si/SiGe с низкой концентрацией дырок ($p=8.2\times10^{10}$ см$^{-2}$) при температурах $T=0.3\text{--}4.2\,$К в ультраквантовом пределе, когда число заполнения $\nu <1$. Для определения компонентов ВЧ проводимости использовалась акустическая бесконтактная методика в “гибридной конфигурации”, когда поверхностная акустическая волна (ПАВ) распространялась по поверхности пьезоэлектрика LiNbO$_3$, а гетероструктура прижималась к ней пружинкой. $\sigma_1$ и $\sigma_2$ определялись из величин затухания и скорости поверхностных акустических волн, одновременно измеренных при изменении магнитного поля. Обнаруженные особенности ВЧ проводимости: $\sigma_1\gg|\sigma_2|$, отрицательный знак $\sigma_2$, пороговый характер ВАХ, зависимость $I\propto\exp (-A/V^{0.3})$ в предпороговой области свидетельствуют в пользу образования в ультраквантовом пределе ($T=0.3\text{--}0.8$ К, $B>14$ Тл) запиннингованного вигнеровского кристалла (стекла).
Поступила в редакцию: 14.06.2007
Образец цитирования:
И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. В. Суслов, Ю. М. Гальперин, В. М. Винокур, М. Миронов, О. А. Миронов, “Стационарный и высокочастотный дырочный транспорт в гетероструктурах $p$-Si/SiGe в ультраквантовом пределе”, Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007), 274–278; JETP Letters, 86:4 (2007), 244–248
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl830 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v86/i4/p274
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 185 | PDF полного текста: | 59 | Список литературы: | 33 |
|