|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
AC и DC проводимость в структуре $n$-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
А. А. Дмитриевab, И. Л. Дричкоa, И. Ю. Смирновa, А. К. Бакаровc, А. А. Быковdc a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики,
197101 С.-Петербург, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
d Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Проведены измерения стационарной (DC – direct current) $\sigma_{xx}^{dc}$ и высокочастотной (AC – alternating current) $\sigma^{ac}_{xx}=\sigma_1-i \sigma_2$ проводимостей в широкой (46 нм) квантовой яме GaAs с двухслойным распределением плотности электронов в режиме квантового эффекта Холла. В зависимости проводимости $\sigma_{xx}$ от магнитного поля обнаружены три серии осцилляций, связанных с переходами между уровнями Ландау симметричной (S) и антисимметричной (AS) подзон и переходами, связанные с их зеемановским расщеплением. Анализ частотной зависимости AC-проводимости и соотношения $\sigma_1 / \sigma_2$ показал, что в минимумах осцилляций проводимость имеет прыжковый характер.
Поступила в редакцию: 21.05.2019 Исправленный вариант: 21.05.2019
Образец цитирования:
А. А. Дмитриев, И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. К. Бакаров, А. А. Быков, “AC и DC проводимость в структуре $n$-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 110:1 (2019), 62–67; JETP Letters, 110:1 (2019), 68–73
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5946 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i1/p62
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 133 | PDF полного текста: | 32 | Список литературы: | 29 | Первая страница: | 6 |
|