|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
1. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. В. Кравченко, “Уплощение зон и слияние уровней Ландау в сильно коррелированных двумерных электронных системах (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022), 159–170 ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, “Band flattening and Landau level merging in strongly-correlated two-dimensional electron systems”, JETP Letters, 116:3 (2022), 156–166 |
2
|
|
2018 |
2. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. Х. Хванг, Ц. В. Лиу, С. В. Кравченко, “Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 819–822 ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S.-H. Huang, C. W. Liu, S. V. Kravchenko, “Fractional quantum Hall effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells in weak quantizing magnetic fields”, JETP Letters, 107:12 (2018), 794–797 |
4
|
3. |
M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, G. Biasiol, S. Roddaro, L. Sorba, “Classical effects in the weak-field magnetoresistance of InGaAs/InAlAs quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 107:5 (2018), 338–339 ; JETP Letters, 107:5 (2018), 320–323 |
1
|
|
2014 |
4. |
M. Yu. Mel'nikov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, S. V. Kravchenko, S.-H. Huang, S. W. Liu, “The effective electron mass in high-mobility SiGe/Si/SiGe quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 122–127 ; JETP Letters, 100:2 (2014), 114–119 |
15
|
|
2008 |
5. |
М. Ю. Мельников, В. Т. Долгополов, В. С. Храпай, Д. Шух, “Интерференция баллистических электронов в открытой квантовой точке при высокой температуре”, Письма в ЖЭТФ, 88:1 (2008), 40–45 ; M. Yu. Mel'nikov, V. T. Dolgopolov, V. S. Khrapai, D. Schuh, “Interference of ballistic electrons in an open quantum dot at high temperatures”, JETP Letters, 88:1 (2008), 36–40 |
2
|
|
2004 |
6. |
E. V. Deviatov, A. Würtz, A. Lorke, M. Yu. Melnikov, V. T. Dolgopolov, A. Wixforth, K. L. Campman, A. C. Gossard, “Manifestation of the bulk phase transition in the edge energy spectrum in a two dimensional bilayer electron system”, Письма в ЖЭТФ, 79:4 (2004), 206–211 ; JETP Letters, 79:4 (2004), 171–176 |
3
|
|